تولید کامپوزیت هیبریدی Al/AlMg-Al2O3-Si3N4 به روش ریخته گری و بررسی تاثیر نانوذرات Si3N4
Authors
Abstract:
امروزه استفاده از نانوذرات در کامپوزیتهای زمینه آلومینیومی به دلیل اثرات برتر آنها بر خواص مکانیکی و فیزیکی مورد توجه محققان قرار گرفته است. به علت ترشوندگی ضعیف نانوذرات توسط فلز زمینه حین ریختهگری و نسبت بالای سطح به حجم نانوذرات رسیدن به توزیع یکنواخت ذرات درون زمینه مشکل است. همچنین در فرآیند ساخت، نانوذرات تمایل به تشکیل تودههای ذرهای به شکل خوشهای دارند. تودهای شدن نانوذرات اثرات نامطلوبی بر خواص مکانیکی از جمله روی استحکام و انعطافپذیری کامپوزیت دارد. در این پژوهش از ریختهگری گردابی برای تهیه نمونههای کامپوزیتی تقویت شده با درصدهای مختلف مخلوط پودری حاوی نانوذرات Si3N4، Al2O3 و AlMg استفاده شد. به منظور مشخصهیابی کامپوزیت ساخته شده از بررسیهای ریزساختاری و خواص مکانیکی و فازی بر روی نمونهها استفاده شد. بررسیهای میکروسکوپی الکترونی گسیل میدانی بر روی مخلوط پودری آلومینیوم و نانو ذرات نشان داد که با انجام فرایند آسیاکاری، ذرات پس از آسیاکاری، در ابعاد نانومتری میباشند. نتایج آزمونهای مکانیکی و مشاهدات ریزساختاری با استفاده از میکروسکوپ نوری و الکترونی روبشی درصد بهینه پودر تقویتکننده برای افزودن به مذاب آلومینیوم 5/0 درصد وزنی تشخیص داده شد. در نهایت، مشخص شد با افزایش استحکام به وسیلهی اضافه کردن مخلوط پودری آسیاکاری شده، درصد ازدیاد طول نسبت به فلزپایه به میزان قابل توجهی کاهش پیدا نکرده است.
similar resources
بررسی خواص فیزیکی کامپوزیت زمینه منیزیمی ZX51-Al2O3 ساخته شده به روش ریخته گری گردابی و اکستروژن گرم
در پژوهش پیش رو کامپوزیت های زمینه منیزیمی ZX51-xAl2O3 (درصد حجمی x= 0, 2.25, 4.5, 6.75) به روش ریخته گری گردابی ساخته شدند و سپس تحت فرایند اکستروژن گرم در دماهای 300، 350 و 400 درجه سانتیگراد قرار گرفتند. پس از اندازه گیری دقیق چگالی بر اساس اصل ارشمیدس، خواص فیزیکی کامپوزیت های تولیدی شامل چگالی ظاهری، چگالی نسبی و درصد حجمی تخلخل بررسی گردید و همچنین به کمک رگرسیون، مورد تحلیل آماری قرار گر...
full textتأثیر اندازه ذرات تقویت کننده و دمای بارریزی بر ریزساختار و خواص مکانیکی کامپوزیت زمینه فلزی Al-Al2O3 تولید شده به روش ریخته گری گردابی
full text
ALD HfO2, Al2O3, and PECVD Si3N4 as MIM Capacitor Dielectric for GaAs HBT Technology
Characterization was performed on 60 nm +/3 nm films of atomic layer deposition (ALD) hafnium dioxide (HfO2) and aluminum oxide (Al2O3), and plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) silicon nitride (Si3N4) as MIM capacitor dielectric for GaAs HBT technology. The capacitance density of MIM capacitor with ALD HfO2 (2.73 fF/m 2 ) and Al2O3 (1.55 fF/m 2 ) is significantly higher than tha...
full textبررسی تاثیر افزودنی سدیم بر سنتز Si3N4 به روش کربوترمال و نیتریداسیون از پیش سازه MCM-48 و ساکاروز
در تحقیقحاضر نقش افزودنی سدیم بر سنتز نیتریدسیلیسیوم به روش کربوترمال و نیتریداسیون از پیشسازه سیلیکاتی MCM-48 و عامل کربنی ساکاروز بررسی شد. ابتدامزوحفره سیلیکاتی سنتز گردید.سپس با استفاده از انحلال MCM-48 و ساکاروز در آب دو بار تقطیر و خشک نمودن رسوبحاصله، مخلوطهای دوتایی آماده شد.جهت بررسی نقش سدیم، با افزودن سدیم در محدوده یک، دو و سه درصد وزنی به مخلوط فوق، سیستمهای سهتایی نیز آما...
full textMechanical properties of Si3N4–Al2O3 FGM joints with 15 layers for high-temperature applications
Mechanical properties of Si3N4–Al2O3 FGM joints with 15 layers for high-temperature applications C.S. Lee a,∗, J.A. Lemberg b,c, D.G. Cho a, J.Y. Roh a, R.O. Ritchie b,c a Division of Material and Chemical Engineering, Hanyang University, Gyeonggi-do, Republic of Korea b Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA 94720, USA c Department of Materials Science...
full textMy Resources
Journal title
volume 9 issue 35
pages 115- 128
publication date 2019-04-21
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023