طراحی و شبیه سازی مدار پایه محاسباتی با استفاده از تکنولوژی ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانو لوله های کربن (cntfets)

پس از ارائه اولین گزارش ها در مورد نانو لوله های کربنی با خواص خاص و چشمگیر الکترونیکی ، نوری و شیمیایی ؛ آنها از دیدگاه کاربردی جهت تحقیقات اساسی ، موضوعی جذاب برای پژوهش در حوزه های گوناکون دانش بوده اند. از جمله مباحثی که در این زمینه مورد بررسی قرار گرفت مبحث ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربن((cntfet می باشد. در ابتدا چگونگی عملکرد این قطعه خیلی واضح نبود اما با پیشرفت های بعدی ؛ شناخت تکنولوژی آن با سرعت بسیاری انجام شد . در اینجا پس از بررسی ساختار الکترونی نانو لوله ها و روش های ساخت و پیاده سازی و جایگذاری آن در ترانزیستور ها ، به بررسی ترانزیستور های cntfet و نحوه کار این نوع ترانزیستور ها با ارائه یک طراحی بهینه از تمام جمع کننده تک بیتی به عنوان مدار پایه محاسباتی که از مهم ترین عناصر در مدارات دیجیتال هستند خواهیم پرداخت . ارائه یک طراحی بهینه از این عنصر کمک قابل توجهی به بهبود پارامتر های خروجی این مدارات خواهد کرد. برای طراحی مدار مورد نظر ما از 32 ترانزیستور استفاده نمودیم ، لذا طراحی را بگونه ای انجام داده ایم که مدار در ولتاژ ها متفاوت نیز به درستی کار کند. در ادامه طرح مدار پیشنهادی را با استفاده از شبیه ساز hspice و کتابخانه ترانزیستور cntfet ، شبیه سازی کرده و مقدار توان مصرفی و همچنین تاخیر مدار و پارامتر pdp را بدست آورده ایم . در پایان با توجه به مطالب بیان شده که بیانگر بهبود درپارامتر های مداری می باشد به نتایج بهینه تری نسبت به طراحی های مشابه گذشته با fet های سیلیکانی دست خواهیم یافت.