طراحی و ساخت دیود گان از جنس gaas به روش mbe
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده مهندسی برق
- نویسنده امان الله خواجه حسینی
- استاد راهنما احمد محدث کسایی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1384
چکیده
دیود گان یکی از مهمترین ادوات نیمه هادی مایکروویو محسوب می شود که برای تولید و تقویت توان در محدوده پایین و متوسط، و فرکانس ighz تا بیش از 100ghz بکار گرفته می شود ویژگی های مثبت باعث استفاده گسترده از آن در نواحی مدارهای مایکروویو برای کاربردهای گوناگون شده است. این دیودها از نیمه هادی معدودی مانند inp, gaas و gan با ساختار باند انرژی ویژه قابل ساختند و روش های مختلف رونشانی برای ساخت آن ها استفاده شده است. در این پروژه از روش رشد رونشانی پرتومولکولی یا mbe برای ساخت دیود گان از جنس نیمه هادی gaas استفاده شده است. پس از طراحی ساختار دیود و محاسبه پارامترهای لازم برای رشد، لایه های مورد نیاز توسط دستگاه mbe رشد داده شده و کیفیت لایه ها توسط روش مشخصه نگاری ecv مورد بررسی قرار گرفت. همچنین برای انجام ازمایشات dc و بررسی کیفیت اتصال فلز، از روش فلز نشانی فلزات طلا و ژرمانیوم بر روی ویفر gaas استفاده شد و آزمایشات لازم برای دستیابی به مشخصه dc مورد نظر بر روی آن انجام گرفت.
منابع مشابه
GaInNAs ( Sb ) lasers grown on GaAs by MBE
We demonstrate the first 1.5 mm GaInNAsSb laser grown on GaAs. It exhibits much improved threshold current density as compared with previously reported GaInNAs lasers at 1.52 mm. A 1.465mm laser with far superior performance is also demonstrated. This device exhibits a pulsed threshold current density of 930A/cm per quantum well, a differential quantum efficiency of 0.30W/A (both facets), an ex...
متن کاملLow-Temperature MBE Grown GaAs for Pulsed THz Radiation Applications
The coherent generation and detection of terahertz (THz) radiation using ultrashort laser pulses and photoconductive antennae have been intensively studied during the last decade. The best results were achieved when low-temperature MBE grown GaAs (LTG GaAs) or ion-implanted GaAs layers were used as a basis for THz emitters and detectors. The ultimate performance of these devices depends on carr...
متن کاملPhotomodulated Reflectance Spectroscopy of GaAsBi/GaAs layers grown by MBE
The III-bismides are considered to be a very attractive set of III-V alloys due to their potential applications in photonic and spintronic devices. The incorporation of bismuth into GaAs, with its band anti-crossing effect in the valence band of GaAs, leads to a decrease in the temperature dependence of the bandgap. Such a material may be very useful in designing temperature-insensitive semicon...
متن کاملExploring the Growth Mechanisms of GaAs Nanowires Grown by MBE
We have successfully grown GaAs nanowires by Molecular Beam Epitaxy. In this work, we investigate the principal growth mechanisms underlying nanowire growth by measuring the morphology of the nanowires and comparing them to a simple growth model. From this, we are able to make several conclusions. The results of the data show that Adatom Diffusion contributes more to the overall growth rate tha...
متن کاملSpin Lifetime Measurements in MBE-Grown GaAs Epilayers
Electron spin relaxation times in excess of the localized limit have been measured in MBE n-GaAs layers, with the times depending on the doping concentration. We have optically oriented the electrons in the samples, and measured spin lifetimes via luminescence depolarization in a transverse magnetic field (Hanle effect). The lifetimes thus obtained were 14 and 26 ns for samples nominally doped ...
متن کاملطراحی و رشد سلول خورشیدی با ساختار pn با نیمه هادی گالیم آرسناید (gaas)، به روش mbe
هدف از این پایان نامه طراحی و رشد سلول خورشیدی با ساختار pn با نیمه هادی گالیم آرسناید، به روش رونشستی پرتو مولکولی (mbe) می باشد. اساس تولید انرژی الکتریکی در سلول های خورشیدی، پدیده فتوولتائیک است که طی آن در یک دیود pn براثر تابش نور، جریان الکتریکی تولید می شود. دلیل استفاده از دیود pn این است که برای تبدیل نور به انرژی الکتریکی لازم است الکترون ها و حفره های تولید شده توسط نور، از یکدیگر ج...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده مهندسی برق
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023