بررسی ابتدا به ساکن ویژگی‏های الکترونی و ساختاری نانوسطوح حاوی آرسنیک و آنتیموان ترکیبات گروه iii-v

در این پایان نامه خواص ساختاری، کشسانی، ترمودینامیکی، الکترونی و خواص اپتیکی در حالت انبوهه و همچنین خواص سطح در صفحه‏ی (110) نیم‏رساناهای گروه iii-v حاوی آنتیموان و آرسنیک مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافته ی خطی با پتانسیل کامل در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی و تقریب هایpbe-gga ، lda، wc، pbesol و mbj با استفاده از کد محاسباتی wien2k انجام شده است. در این تحقیق، خواص ساختاری ترکیب های بیان شده در حالت انبوهه نظیر ثابت شبکه، مدول انبوهه، مشتق آن و فشار گذار فاز محاسبه شده است. خواص کشسانی انبوهه ی این ترکیب ها نیز از قبیل ثابت های کشسان، مدول برشی، مدول یانگ، نسبت پواسون و خواص ترمودینامیکی از قبیل سرعت صوت، دمای دبای و پارامتر گرونایزون با تابعی های مختلف مورد مطالعه قرار گرفته‏اند. علاوه بر این خواص الکترونی انبوهه و سطح ترکیب ها نظیر ساختار نواری، چگالی حالت ها و چگالی ابر الکترونی مورد بررسی قرار گرفته‏اند. خواص سطح محاسبه شده‏ی ترکیب های xas و xsb (x=b, al, ga, in) در صفحه‏ی (110) شامل واهلش سطح، زاویه ی کجی، انرژی سطح و تابع کار می باشند. نتایج حاصل از ساختار نواری، گاف مستقیم در نقطه‏ی ? را برای ترکیب های gaas، inas، gasb و insb و گاف غیرمستقیم ( x-?) را برای ترکیب‏های bsb، alsb، bas و alas پیش بینی می کنند. گاف نواری محاسبه شده ی آن ها بین 21/0 تا 75/1 الکترون ولت به دست آمده و در نتیجه این ترکیب ها جملگی نیم رسانا هستند. نتیجه ی حاصل از چگالی ابر الکترونی و خواص کشسانی نشان می دهند که پیوند بین آنیون ها و کاتیون ها در این ترکیب ها مخلوطی از پیوند یونی و کووالانسی است. نتایج به دست آمده از خواص اپتیکی بیان گر انطباق ساختار نواری با سهم موهومی تابع دی الکتریک و برابری تقریبی گاف نواری با گاف اپتیکی است. نتایج حاصل از واهلش سطح (110) ترکیب های iii-v حاوی as و sb نشان می دهند که آنیون به‏سمت خارج و کاتیون به‏سمت داخل سطح واهلش می یابند. همچنین گاف های نواری سطح (110) این ترکیب ها به‏علت وجود حالت های سطح نسبت حالت انبوهه، کاهش می یابند. نتایج حاصل از محاسبات خواص فیزیکی انبوهه‏ و سطح این ترکیب ها با نتایج دیگران سازگاری خوبی دارند.