ساخت لایه های نازک zns به روش pvd و مطالعه تغییر فاز آن با دما

چکیده لایه¬های نازک سولفید روی با ضخامت¬های مختلف nm 75 وnm 200بر روی زیرلایه¬های شیشه¬ایی به روش تبخیر در خلا (pvd) لایه نشانی شدند. دمای زیرلایه در محدوده ?(200-75) متغیر بود. لایه¬هایی که بر روی زیر لایه با دمای ?200 سنتز شدند به مدت 1 ساعت در هوا و در دماهای متفاوت 0c 300 ، 0c400 و0c 500 مورد بازپخت قرار گرفتند. تغییر در خواص اپتیکی و ساختاری لایه¬ها توسط طیف پراش اشعه ایکس، طیف¬سنجی uv/vis و طیف بینی رامان بررسی شد. گاف انرژی با استفاده از داده¬های طیف عبوری محاسبه گردید. نتایج آزمایشات حاکی از آن است که لایه¬هایی با ضخامت ¬ nm75 دارای ساختارمکعبی بوده و با افزایش دمای بازپخت، ساختار مکعبی همراه با صورتی از ساختار ورتزیت می¬شود. تبلور با افزایش دمای زیرلایه و ضخامت بهبود و اندازه دانه¬ها افزایش یافته است، علاوه برآن مشاهده می¬شود که با افزایش دمای زیرلایه، میانگین درصد عبور اپتیکی وگاف انرژی لایه¬ها افزایش و با افزایش دمای بازپخت کاهش یافته است که می¬تواند ناشی از تغییر در ساختار، تغییر در اندازه دانه¬ها، اکسید شدن سطح و کاهش درتنش کششی باشد. تغییرات موجود در مدهای toوlo در طیف¬های رامان تغییر فاز در نتیجه افزایش ضخامت و دمای بازپخت را نشان می¬دهند.