طراحی و بهینه سازی گیرنده ابر بازتولیدی مبتنی بر تکنولوژی cmos 180 nm
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک
- نویسنده حسام موسویان
- استاد راهنما محمد رضا صالحی ابراهیم عبیری
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1392
چکیده
در این پایان نامه، یک گیرنده ابر بازتولیدی برای استفاده در سیستم های تصویر برداری موج میلی¬متری طراحی و شبیه سازی شده است. هدف از انجام این تحقیق، کاهش توان مصرفی گیرنده ابر بازتولیدی می باشد. معماری ابر بازتولیدی به جهت مصرف توان پایین و تعداد قطعات کم انتخاب شده است. مهمترین بخش مصرف کننده توان در گیرنده ابر بازتولیدی، نوسان گر آن است. با بهره بردن از نوسان گر زوج متقاطع cmos، توان مصرفی این گیرنده کاهش یافته است. در طراحی مدار تشدید نوسان گر از سلف غیر فعال استفاده شده که با یک مدار rlc موازی مدلسازی شده است. همچنین برای کاهش سطح تراشه، عناصر پارازیتی به عنوان عنصر خازنی مدار تشدید به کار رفته اند. در طبقه ورودی از یک شبکه تطبیق متشکل از یک ماسفت و یک سلف غیر فعال استفاده شده است. در این گیرنده با استفاده از یک دروازه انتقال، زمان صفر شدن نوسان کاهش یافته است. نرم افزار مورد استفاده برای شبیه سازی گیرنده، advanced design system می باشد و از تکنولوژی cmos 180nm برای طراحی استفاده شده است. همچنین رسم جایابی توسط نرم افزار cadence صورت گرفته است. واژه های کلیدی: گیرنده ابر بازتولیدی،موج میلی¬متری، نوسان گر زوج متقاطع، سلف غیر فعال، دروازه انتقال
منابع مشابه
طراحی و شبیه سازی مبدل ولتاژ به ولتاژ جریان مستقیم کلیدی-خازنی کاهشی با تکنولوژی 180 nm standard cmos
مبدل های ولتاژ به ولتاژ جریان مستقیم که با نام تنظیم کننده های ولتاژ کلیدزنی نیز شناخته می شوند، یکی از اجزای اصلی بخش مدیریت توان هستند. نقش این مبدل ها مهیا کردن ولتاژ خروجی ثابت و صاف برای انتقال توان به ادوات الکترونیکی است. از آنجایی که در برخی از نقاط مدار مجتمع نیاز به کاهش و یا تقویت ولتاژ است و با در نظر گرفتن این که معمولاً نمی توان جریان نقطه مورد نظر را تغییر داد، روی کاهش یا تقویت و...
Toward More Accurate Scaling Estimates of CMOS Circuits from 180 nm to 22 nm
With deep submicron technology nodes other methods are needed to obtain scaling factors rather than the traditional scaling factors which held for the pre-submicron era. This work presents scaling factors between major technology nodes between 180 nm and 22 nm operating at voltages from 1.8 V to 0.7 V. Common operating data for these technologies were taken from the International Technology Roa...
متن کاملScaling equations for the accurate prediction of CMOS device performance from 180 nm to 7 nm
Classical scaling equations which estimate parameters such as circuit delay and energy per operation across technology generations have been extremely useful for predicting performance metrics as well as for comparing designs across fabrication technologies. Unfortunately in the CMOS deep-submicron era, the classical scaling equations are becoming increasingly less accurate and new practical sc...
متن کاملEfficient Pixel Architecture of CMOS Image Sensor using CMOS 180 nm technology
This paper describes CMOS Active Pixel Sensor (APS) that has huge demand in imaging systems. The pixel architecture consists of number of NMOS transistors and reverse biased p-n junction diode act as photo sensing element designed in 0.18um CMOS technology. The (64 H X64 V ) pixel array have presented and described. The sensor design contains 5T pixel architecture to investigate the effects by ...
متن کاملOptimized Design of Column Level ADC for CMOS Imager using 180 nm Technology
An integrating type ADC is the most commonly used column level ADC for its simple architecture and small surface area. 12-bit Dual slope ADC is developed which has less complexity in design. This architecture has basic advantage that it eliminates the dependence of the conversion on the linearity and accuracy of the slope. The main block of this circuit is opamp. Two stage opamp is developed wh...
متن کاملA wide spectral range single-photon avalanche diode fabricated in an advanced 180 nm CMOS technology.
We present a single-photon avalanche diode (SPAD) with a wide spectral range fabricated in an advanced 180 nm CMOS process. The realized SPAD achieves 20 % photon detection probability (PDP) for wavelengths ranging from 440 nm to 820 nm at an excess bias of 4 V, with 30 % PDP at wavelengths from 520 nm to 720 nm. Dark count rates (DCR) are at most 5 kHz, which is 30 Hz/μm2, at an excess bias of...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023