طراحی سلول های ram و sram توان پایین و سرعت بالا با استفاده از روش gdi با تکنولوژی های si-mosfet و cntfet

از مهمترین نیازمندی ها برای طراحی ابزارهای قابل حمل مانند گوشی های هوشمند مصرف پایین انرژی بر کارکرد می باشد. در بسیاری از کاربردها، حافظه ها بخش عمده ای از کل انرژی سیستم را مصرف می کنند. از این رو درکاربردهای توان محدود که سرعت در درجه دوم اهمیت پیدا می کند، مفید است که عملیات های خواندن و نوشتن برای یک سلول sram با کمترین ولتاژ کاری ممکن انجام گیرد. چالش اصلی در طراحی sram مرسوم سازش بین نیازمندی های پایداری خواندن و توانایی نوشتن می باشد. همچنین با مقیاس بندی ابزارهای نیمه هادی سیلیکن به محدوده های نانو، اثرهای کانال کوتاه و تغییر فرایندها به صورت چشمگیری بر روی ترانزیستورها و طراحی مدارها اثر می گذارد. ابزارهای نوینی برای غلبه بر این مشکل ها پیشنهاد شده است یک ابزار جدید و نوید بخش، ترانزیستور اثر میدان نانولوله ی کربنی (cntfet) می باشد که بسیاری از مشکلات بنیادی ترانزیستورهای cmos را ندارد. در این پایان نامه cntfet شبه ماسفت را مورد بازبینی قرار خواهیم داد و نشان خواهیم داد که ترانزیستور قابل قبولی برای طراحی های حافظه با سرعت بالا و توان پایین می باشد. در این پایان نامه همچنین برای غلبه بر مشکل سازش بین توانایی نوشتن و پایداری خواندن یک سلول 10 ترانزیستوری توان پایین و با سرعت بالا بر پایه تکنولوژی های cntfet و si-mosfet پیشنهاد شده است که سلول طرح شده بر پایه تکنولوژی cntfet قابلیت کار در ولتاژهای زیرآستانه را نیز دارد.