رشد سطوح ناهموار و بررسی ترابرد الکترونی از فصل مشترک آن ها

فرآیند رشد و تولید سطوح و فصول مشترک با شکل و خواص متفاوت، به دلیل کاربرد در ساخت قطعات الکترونیکی از موضوعات مورد توجه در کارهای نظری و تجربی به شمار می¬رود. به همین دلیل در رساله¬ی حاضر به دو مبحث پراخته می¬شود که ارتباطی بسیار نزدیک دارند. مبحث اول به رشد سطوح با استفاده از توابع همبستگی خاص و روش¬های نشست استاندارد اختصاص دارد. تمامی سطوح تولید شده در این روش¬ها ناهموار بوده و ریخت شناسی آن¬ها به روش نشست و رشد انتخاب شده وابسته است. رشد سطوح با استفاده از یک تابع همبستگی خاص، امکان بررسی مشخصه¬های اصلی توصیف کننده¬ی سطح یعنی، ارتفاع ناهمواری، طول همبستگی و نمای زبری را فراهم می¬سازد. همچنین در مورد رشد با استفاده از نشست ذرات، امکان بررسی ریخت¬شناسی سطح وجود دارد. به این ترتیب که می¬توان تغییرات عرض ناهمواری با زمان رشد لایه و نماهای مقیاسی- نمای رشد، نمای زبری و نمای دینامیکی- را برای سطوح متفاوت محاسبه نمود. محاسبه¬ی نماهای مقیاسی در تعیین کلاس جهانی سطح تولید شده موردنظر کاربرد دارد. علاوه بر مطالعه¬ی ریخت شناسی سطح، اخیراً محاسبه¬ی خصوصیات ترابردی سطوح ساخته شده به¬خصوص در ساخت قطعات الکترونیکی از اهمیت فراوانی برخوردار است. این مبحث، دومین موضوعی است که در این رساله به آن پرداخته می-شود. از میان عوامل موثر بر خصوصیات ترابردی در ساختارهای تونل¬زنی، ناهمواری فصول مشترک از مهمترین عوامل تاثیرگذار شناخته شده و در این پایان¬نامه به آن پرداخته می¬شود. از خصوصیات قابل محاسبه در ساختارهای تونل¬زنی ناهموار که سطوح مشترک آن¬ها با استفاده از روش¬های مختلف نشست و یا تابع همبستگی خاص رشد یافته است می¬توان به ضریب عبور(احتمال عبور)، جریان الکتریکی، مقاومت مغناطیسی تونل¬زنی و قطبش اسپینی در ساختارهای مغناطیسی و غیرمغناطیسی اشاره نمود. با داشتن اطلاعات دقیق از سطوح رشد یافته در کارهای تجربی می¬توان نتایج آن را با نتایج محاسبات کارهای نظری مقایسه نمود و با یافتن و کم نمودن تاثیر عوامل نامطلوب، قطعات الکترونیکی با کارکرد بالا و ویژگی¬های دلخواه طراحی نمود.