بررسی خواص الکتریکی پیوند ناهمگن pbpc|tio2 و به کارگیری آن تحت عنوان حسگر گازی

در این پژوهش، خواص الکتریکی پیوند نا همگن دی اکسید تیتانیوم-فتالوسیانین سرب و به کارگیری آن به عنوان حسگر گازی مورد مطالعه قرار می گیرد. لایه های نازک دی اکسید تیتانیوم و فتالوسیانین سرب به روش پرتو الکترونی بین دو الکترود طلا و آلومینیوم به صورت ساندویچی تهیه شد. مشخصه یابی قطعات ساخته شده بوسیله اعمال جریان و فرکانس انجام گرفت. نمودار جریان-ولتاژ نشان می دهد که قطعه ساخته شده دارای خاصیت یکسو سازی نیست و با افزایش دما جریان به صورت غیر خطی ( غیر اهمیک) افزایش می یابد. مقدار انرژی فعال سازی از وابستگی رسانندگی به دما محاسبه گردید. با اعمال فرکانس های مختلف، مقادیر ظرفیت، عامل اتلاف و رسانندگی تعیین گردید. مشاهده شد که ظرفیت در فرکانس های پایین به شدت به دما وابسته است و با افزایش دما افزایش می یابد. تغییرات عامل اتلاف با فرکانس وجود مینیمم هایی را نشان می دهد که این مینیمم با افزایش دما تغییر می کند. این مشخصه ها به صورت کیفی از طریق مدل گاسوامی-گاسوامی قابل توجیه می باشد. تغییرات رسانندگی با دما نشان می دهد که رسانندگی در فرکانس های پایین به دما وابسته است و در فرکانس های بالا مستقل از دماست. با اعمال گاز به قطعه مشاهده می شود که ظرفیت در فرکانس های پایین افزایش می یابد. علاوه بر این مقدار گاف نواری اپتیکی دی اکسید تیتانیوم-سرب فتالوسیانین به کمک طیف جذبی محاسبه گردید. قطعه ساخته شده می تواند به عنوان حسگر گازی از نوع ظرفیتی و همچنین به عنوان سلول خورشیدی ( با توجه به گاف نواری اپتیکی پهن 3.2 الکترون ولت) مورد استفاده قرار گیرد.