کاهش مصرف توان در گیرنده های فراپهن باند با استفاده از مدارهای آنالوگ غیر خطی

پایان نامه
چکیده

در سالهای اخیر، سرویسهای جدیدی در مخابرات بیسیم مطرح شده اند که نرخ داده ی بسیار بالایی دارند. یکی از این سیستمها، تکنولـوژی فـراپهـن باند میباشد. سیـستمهای فـراپهـن بـانـد انـواع مخـتلفی دارنـد کـه یـکی از پرکاربـردتـرین آنـها نـوع mb-ofdm uwb میباشد. گیرنده ی این سیستمها به دلیل نوع استفاده ی آن می بایست مصرف توان پایینی داشته باشد. وجود بلوکهای fft و adc در گیرنده ی این سیستم به دلیل مصرف توان بالایی که دارند از چالشهای مهم در طراحی بهینه ی گیرنده به شمار میروند. در این تحقیق با استفاده از مدارهای آنالوگ غیرخطی در طراحی fft، مصرف توان گیرنده به طور قابل ملاحظه ای کاهش داده شده است. fftآنالوگ پیشنهاد شده که ساختار آن بر اساس آینه های جریان آنالوگ cmos میباشد، میتواند نرخ انتقال بسیار بالاتر و مصرف توان پایینتری را نسبت به روشهای متداول دیجیتال فراهم کند. در طراحی fft از تکنیکهای vlsi استفاده شده است، به این ترتیب که ابتدا با استفاده از مدار آینه ی جریان کسکد، یک بلوک اصلی در نظر گرفته میشود. سپس با استفاده از این بلوک و نسخه های کپی شده ی آن کل مدار طراحی میشود. در استاندارد ieee 802.15.3a مربوط به سیستمهای فراپهن باند، زمان محاسبه ی fft برابر 5/312 نانوثانیه می باشد. زمان محاسبه ی fft در روش پیشنهادی برابر 24 نانوثانیه میباشد در حالی که مصرف توان کلی آن برابر 7/1 میلی وات میباشد. این مصرف توان در میان سایر طراحی ها بسیار کمتر است، به طوری که در بهترین طراحی، مصرف توان 8/6 میلی وات حاصل شده بود. همچنین با توجه به طراحی آنالوگ، adc که دیگر بلوک پرمصرف در گیرنده بود، حذف میشود و به این ترتیب پیچیدگی گیرنده بسیار کمتر است. پردازنده ی fft طراحی شده منحصر به سیستمهای فراپهن باند نبوده و به طور کلی در گیرنده های دیگر که بر اساس ofdm می باشند نیز قابل استفاده است. لازم به ذکر است در این پایان نامه از نرم افزار ads برای طراحی مدار و از نرم افزار متلب به منظور مدلسازی استفاده شده است.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

فیلتر فراپهن باند با استفاده از روش امپدانس پله ای با بهبود افت خارج باند

در این مقاله فیلتر میانگذر فراپهن باند، با استفاده از امپدانس پله‌ای طراحی شده است. برای طراحی، یک ساختار با امپدانس پله‌ای پیشنهاد شده و سپس تعدادی از آنها با هم سری شده است. در طراحی اولیه تنها یک استاب اتصال کوتاه به‌کار گرفته شده و سپس با توجه به نتایج پاسخ فرکانسی، تعدادی از آنها با هم ترکیب می‌شوند. ابعاد فیلتر پیشنهادی mm2 16×16 می‌باشد. طراحی بر روی زیرلایه‌ای با ثابت دی‌الکتریک 38/3 و ...

متن کامل

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

متن کامل

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

متن کامل

شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

متن کامل

شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...

متن کامل

طراحی مقایسه گرهای آنالوگ با استفاده از روش gm/id با تأکید بر کاهش مصرف توان

در این پایان نامه ساختار جدیدی از مقایسه گرهای آنالوگِ class-ab معرفی و سپس با استفاده از روش مبتنی بر نمودار gm/id طراحی و در تکنولوژی های tsmc 0.18um و umc 90nm توسط نرم افزار hspice شبیه سازی گردید. برای کاهش مصرف توان، طراحی مدار در ناحیه معکوس ضعیف(w.i.) انجام شد. نتایج حاصل از شبیه سازی بیانگر کاهش 50 تا 90 درصدی مصرف توان مدار نسبت به طرح های مشابه و با فرکانس کاری یکسان است. مدار طراحی ش...

15 صفحه اول

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی (نوشیروانی) بابل - دانشکده برق و کامپیوتر

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023