مطالعه و رشد لایه های چندگانه gaas/algaas به روش lpe
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده علوم
- نویسنده برهان ارغوانی نیا
- استاد راهنما فرزاد تاییدی مهدی اسکویی محسن صالح کوتاهی داریوش فتحی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1381
چکیده
رشد رونشستی از فاز مایع روشی است که برای ساختن ادوات الکترونیکی و لیزری نیمه هادی بطور وسیعی از آن استفاده می شود. در این پایان نامه، لایه های نازک gaas/algaas روی یک زیر لایه n-gaas با جهتمندی (100) با روش lpe رشد داده شده اند که این لایه های نازک دارای مشخصات زیر هستند: لایه اول) n-gaas:te به ضخامت 4 تا 6 میکرون و تراکم آلاینده n=4x10 18 cm-3 لایه دوم) n-al0.4ga0.6as:sn به ضخامت 5/1 تا 5/2 میکرون و تراکم آلاینده n=4x10 16cm-3 لایه سوم) gaas به ضخامت تقریبی 1/0 میکرون و بدون آلاینده لایه چهارم) p-al0.4ga0.6as:ge به ضخامت 5/1 تا5/2 و تراکم آلاینده p=3x10 17cm-3 لایه پنجم) p-gaas:ge به ضخامت 2 تا 3 میکرون و تراکم آلاینده p=4x10 18cm-3 تهیه شد. پس از رشد لایه ها ضخامت و یکنواختی لایه گذاری بوسیله میکروسکوپ نوری مورد بررسی قرار گرفت همچنین بوسیله دستگاه sims عناصر تشکیل دهنده در هر لایه مورد بررسی قرار گرفت. بر اساس اطلاعات بدست آمده از دستگاه sims تغییرات al,as,ga که عناصر تشکیل دهندهنیکه هادی algaas, gaas را تشکیل می دهند به دقت اندازه گیری شدند همچنین چگالی ناخالصی های ge,sn,te وتغییرات دانسیته بر حسب عمق نفوذ کاملا نشان میدان که میزان بهینه هر کدام از ناخالصی ها در چه حدودی بایستی باشد.
منابع مشابه
مقایسه تأثیر وضعیت طاق باز و دمر بر وضعیت تنفسی نوزادان نارس مبتلا به سندرم دیسترس تنفسی حاد تحت درمان با پروتکل Insure
کچ ی هد پ ی ش مز ی هن ه و فد : ساسا د مردنس رد نامرد ي سفنت سرتس ي ظنت نادازون داح ي سکا لدابت م ي و نژ د ي سکا ي د هدوب نبرک تسا طسوت هک کبس اـه ي ناـمرد ي فلتخم ي هلمجزا لکتورپ INSURE ماجنا م ي دوش ا اذل . ي هعلاطم ن فدهاب اقم ي هس عضو ي ت اه ي ندب ي عضو رب رمد و زاب قاط ي سفنت ت ي هـب لاتـبم سراـن نادازون ردنس د م ي سفنت سرتس ي لکتورپ اب نامرد تحت داح INSURE ماجنا درگ ...
متن کامل-LpE) in human plasma
Gamma-LpE ( g -LpE), a sphingomyelin-rich lipoprotein that contains apolipoprotein (apo) E as its only protein component, has been proposed to play a role in cellular cholesterol efflux by acting, like preb 1 -LpA-I, as an initial acceptor of cell-derived cholesterol. In order to further characterize the presence of g -LpE in human plasma, we have separated g -LpE by two-dimensional non-denatur...
متن کاملA correction for the LPE statistical test
The correction is in two parts. See [3] for more information on the correction. 1. The LPEadj method discontinues the LPE practice of setting all variances below the maximum variance in the ordered distribution of variances to the maximum variance. In certain cases this practice can set many variances to the maximum and lower the performance of this algorithm. If the assumption that there are o...
متن کاملمطالعه خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی لایه های نازک اکسید روی آلایش شده با ناخالصی نیتروژن (ZnO:N) رشد یافته بر روی شیشه و لایه واسط ZnO به روش اسپری پایرولیزیز
لایه های نازک اکسید روی آلایش یافته با ناخالصی نیتروژن (ZnO:N) به روش اسپری پایرولیزیز بر روی شیشه و نیز لایه واسط اکسید روی خالص در دمای 0C450 به روش اسپری پایرولیزیز سنتز شدند. طیف XRD نمونه ها نشان دهنده رشد نمونه ها به صورت بس بلوری در فاز ششگوشی بوده در حالی که جهتگیری ترجیحی رشد در آنها تغییر پیدا کرده است. این تاثیر گذاری در خواص اپتیکی لایه ها نیز بخوبی مشهود بوده به طوری که عبور اپتیکی...
متن کاملمطالعه پوشش‌هایضدبازتاب تک لایه، چندلایه و کامپوزیتی سیلیکا- تیتانیاتهیه شده به روش سل-ژل
یکی از روش‌های افزایشبازدهی جمع کننده‌های خورشیدی در نیروگاه‌های حرارتی ایجاد پوشش‌هایضد بازتاب بر سطح شیشه‌های محافظ دریافت کننده هایخورشیدی می‌باشد. در پژوهش حاضر،پوشش‌های تک لایه، دو لایه، چندلایه و کامپوزیت سیلیکا و تیتانیا تهیه شده به روش سل-ژل بر سطح شیشه به‌منظور کاربرد ضدبازتابی بررسی گردید.برایبررسی پوشش‌ها از طیف‌نگاری عبور(UV-VIS)، مادون‌قرمز(FT-IR)و میکروسکوپ الکترونی روبشی(FE-SEM)ا...
متن کاملبررسی اثر استفاده از رادیکال های گازی سیستم گازی آمونیاک و تری کلروسیلان بر رشد و خصوصیات لایه نازک نیترید سیلیکون آمورف لایه نشانی شده به روش لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین
In this paper, preparation and characterization of a-SiNx thin films deposited by LPCVD method from free radicals of TCS and NH3 gaseous system were investigated. These radicals are made by passing each of the precursor gases separately over Pt-Ir/Al2O3 catalyst at the temperature of 600 ᐤC. Kinetics of this process was investigated at different total pressures, NH3/TCS flow rate ratios and te...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده علوم
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023