بررسی امکان تهیه slow light در محیط های فیبر نوری با آلاینده های خاص

slow light در محیط های پخش مختلف اخیر فضای فعالی برای تحقیق در مورد نور شده است. در طی چند سال گذشته چندین تکنیک برای کاهش سرعت نور در محیط های مختلف یافت شده است. یکی از بهترین روشها برای تولید slow light شفافیت القا شده الکترومغناطیسی است. در این پایان ایجاد از لحاظ تیوری در تقویت کننده های فیبر نوری آلایییده به اربیم و حساس شده با سیلیکان نانو کریستال توسط روش eit مطالعه خواهد شد/. ولی ابتدا این محیط به عنوان یک تقویت کننده باید بررسی شود سیلیکای آلاینده به اربیم و دارای سیلیکان نانو کریستال ماده ای است که بسیار مورد توجه می باشد چرا که ایجاد منابع نوری بر پایه سیلیکان را نوید می دهد. گزارشهای متعددی از حساس سازی اربیم در تابش um 54/1 توسط سیلیکان نانو کریستال si-nc وجود دارد و اکنون این مسیله کاملا پذیرفته شده است که این فرایند سطح مقطع جذب موثر یونهای را سه درجه افزایش می دهد در واقع حضور si-nc نزدیک یونهای er در ماتریس سیلیکا مکانیسیم کوپلینگ قوی ایجاد می کند و بازدهی تحریک یونهای اربیم را بهبود می بخشد اما اندازه سیلیکان نانو کریستال ها در تعیین مقدار ضریب کوپلینگ بسیار اهمیت دارند. در این پایان نامه اثر تغییر شعاع سیلیکان نانو کریستال ها در طیف 2-6 نانو متر با مطالعه حالت پایدار و وابسته به زمان برای تابش 54/1 بررس شده است تابع توزیع شعاع سییکان نانو متر با یونهای er کوپل شود. این سیستم با نوشتن سه گروه از معادلات نرخ شبیه سازی شده و نشان داده شده است که وقتی چگالی یونهای er اقزایش می یابد بهره تقویت کننده نیز افزایش می یابد اما در چگالی های بالا بخاطر اثر فروکشی چگالی و coperative up convesrsion بهره بشدت کاهش پیدا می کند همچنین اثر یک نقص ایجاد شده در پروسه ساخت نیز بررسی شده است. این نقص در مرکز فیبر قرار گرفته و شعاهی در حدود 10 نانو متر دارد در این پایان نامه نشان داده می شود که وجود چنین نقصی هیچ تاثیری بر خصوصیات نوری توقیت کننده های ersso ندارد. در آختر اثر eit در سیستم های سه ترازه ای مانند ersrso برسی شده است نشان داده می شود که با تغییر میدان کنترل می توان مقدار سرعت نور را تعییر داد