بررسی برهمکنش های مغناطواستاتیکی در نانوسیم های coxzn1-x قبل و بعد از فرایند تابکاری با استفاده از آنالیز forc

اهمیت روزافزون نانوساختارهای مغناطیسی و کاربرد های متنوع آنها، مطالعه دقیق رفتار مغناطیسی آنها را مورد توجه محققین قرار داده است. یکی از شیوه های مطالعه دقیق و جزئی رفتار مغناطیسی مواد که اخیراً مورد توجه بیشتری قرار گرفته است، روش منحنی-های بازگشتی مرتبه اول (forc) است. در این تحقیق با استفاده از روش forc رفتار مغناطیسی نانوسیم های cozn بر اثر تغییر درصدی zn و تغییر قطر نانوسیم های مورد مطالعه قرارگرفته است و چگونگی تغییر توزیع برهمکنش ها بین نانوسیم ها و وادارندگی آنها بررسی شده است. علاوه بر این اثر تابکاری بر رفتار مغناطیسی نانوسیم های cozn نیز مطالعه شده است. نتایج edx نشان می دهد که درصد اتمی zn در نانوسیم ها علاوه بر غلظت سولفات روی در الکترولیت، با قطر نانوسیم ها متناسب است و نهشت یون های zn در حفره های با قطر بزرگتر افزایش می یابد. نتایج آنالیز forc نشان می دهد که با افزایش درصد zn در نانوسیم ها برهمکنش های مغناطواستاتیکی بین نانوسیم ها کاهش می یابد و توزیع وادارندگی نانوسیم ها به سمت مقادیر کمتر جابجا می شود. افزایش قطر معمولاً باعث کاهش وادارندگی نانوسیم ها گردید. فرایند تابکاری بهبود قابل ملاحظه در رفتار مغناطیسی ایجاد می کند که ناشی از کاهش برهمکنش بین نانوسیم ها می باشد. همچنین مشاهده گردید که برای غلظت بزرگتر از 06/0 مولار سولفات روی، نانوسیم ها بعد از تابکاری دو فاز مغناطیسی سخت و نرم را بطور همزمان نشان می دهند. تاثیر افزایش قطر نانوسیم ها بر فرایند تفکیک فازها بعد از تابکاری و تغییر مغناطش آنها با استفاده از آنالیز forc مورد مطالعه قرار گرفت.