مقایسه سوئیچ زنی سالیتون های کاواک در میکرومشددهای نیم رسانا در بالا و پایین آستانه لیزری

سیستم های نیمه هادی ساختارهای مناسبی برای تشکیل ساختارهای جایگزیده می باشند. چرا که این مزیت را دارند که دارای مقیاس های زمانی سریع (از مرتبه زمان بازترکیب حاملین) و مقیاس های فضایی کوچک هستند. در این پروژه آنچه اهمیت دارد، سوئیچ زنی سالیتون های کاواک در میکرومشددهای نیمرسانا توسط مکانیسم تزریق موضعی حاملین می باشد. هنگامی که حاملین به روش اپتیکی در موقعیت مورد نظر تزریق می شوند، جمعیت معکوس در این نقطه افزایش یافته و به تبع آن لیزرزایی افزایش می یابد. این امر عامل مشاهده شدت ماکزیمم در موقعیت تزریق است که عوامل غیر خطی در کاواک سبب پایداری این لکه شدت بعد از حذف تزریق حاملین می باشد. آنچه که کار انجام شده در این تحقیق را بارز می کند، استفاده از توزیع جدید حاملین (توزیع حلقوی) برای سوئیچ زنی سالیتون های کاواک است. همچنین در این پروژه دینامیک حاملین در حین فرآیند سوئیچ زنی مورد بررسی قرار گرفته است. در ضمن روش های سوئیچ زنی سالیتو ن ها در میکروکاواک در زیر آستانه ی لیزری و بالای آستانه ی لیزری مورد مطالعه قرار گرفته و روش های سوئیچ زنی در هر سیستم با هم مقایسه می شوند تا بهترین روش جهت روشن و خاموش کردن سالیتون ها ارائه گردد.