بررسی خواص ترموالکتریکی و الکترواپتیکی 3 te2i bواثر جانشانی اتم se با اتم te با استفاده از نظریه بولتزمن

بررسی ویژگی‌های ساختاری و الکترونی ترکیب‌های AgGaX2(X=Se,S,Te) و CuSbX2(X=Se,S,Te) با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی

در این مطالعه ویژگی­ های ساختاری از جمله ثابت­ های شبکه، مدول حجمی و الکترونی ترکیب ­های (X=S,Se,Te) AgGaX2 وCuSbX2 (X=S,Se,Te) در حالت انبوه در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و روش موج­ های  تخت بهبود یافتۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) با استفاده از نرم ­افزار Wien2k محاسبه شده است. هم­چنین برای بررسی ویژگی­های الکترونی این ترکیب­ ها، چگالی حالت­ های کل، ساختار نواری، چگال...

تشکیل اتم پوزیترونیوم توسط روش جفت شدگی در انرژی‌های پایین در برخورد پوزیترون با اتم هیدروژن

در کار حاضر محاسبه‌ی سطح مقطع جزئی و کل برای تولید اتم پوزیترونیوم در برخورد پوزیترون کم انرژی با اتم هیدروژن در کانال انتقال‌بار توسط تقریب مرتبه اول روش جفت شدگی نزدیک انجام شده است. در این محاسبات اتم هیدروژن در حالت پایه در نظر گرفته شده و احتمال تشکیل اتم پوزیترونیوم در حالت پایه به صورت یک مسئله سه‌جسمی مورد بررسی قرار گرفته است. در کانال اولیه تابع موج توسط پایه های متعامد لگر بسط داده ش...

اتم گرایی فیزیک ، اتم گرایی شیمی

بررسی خواص ساختاری و مغناطیسی نانو نوارهای گرافنی آلایش یافته با اتم آهن

در این مقاله پایداری، خواص الکترونی و مغناطیسی در نانو نوار گرافنی با لبه زیگزاگ شکل( ZGNR ) آلایش یافته با اتم آهن، با استفاده از نظریه تابعی چگالی ( DFT ) بررسی شده است. بر طبق بررسی های انجام شده و با توجه به مقادیر بدست آمده برای انرژی تشکیل و انرژی پیوندی بهترین مکان برای جایگزینی اتم آهن با اتم کربن، در لبه ZGNR و با اتم کربنی به دست آمد که با هیدروژن پیوند دارد. همچنین اگر اتم های آهن جا...

اتم موانیم

Structural Characterization of the Cu2(Se,Te)3-(Ga,In)2(Se,Te)3 Semiconducting Systems

Many contributions have been reported in the literature about the synthesis and characterization of chalcopyrite-related Inand Ga-rich ordered defect compounds of the ternary systems: Cu-In-Se, Cu-In-Te, Cu-Ga-Se and Cu-GaTe. Particular interest has been paid to the compounds that can be derived from the formula CuN-3InN+1Se2N, where N=4, 5, 6, 7, 8 and 9, because some of these materials have a...