بررسی نظری جذب گازهای ch4،co ، n2، o2 و h2 بر روی نانولوله های سیلیکونی و بور- سیلیکون تک لایه با روش dft

در این تحقیق، جذب گازهای 4ch، co، 2n، 2h و 2o بر سطح خارجی و داخلی نانولوله های سیلیکونی(5,5) و (8,0) و نانولوله بور- سیلیکون (5,5) با استفاده از روش dft مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهد که جذب مولکول 4ch بر سطح خارجی و داخلی نانولوله های سیلیکونی(5,5) و (8,0) یک جذب فیزیکی با انرژی جذب ضعیف و بر سطح خارجی و داخلی نانولوله بور- سیلیکون (5,5) جذب فیزیکی با انرژی جذب متوسط می باشد. جذب مولکول co بر سطح خارجی و داخلی نانولوله های سیلیکونی(5,5) و (8,0) یک جذب فیزیکی با انرژی جذب متوسط می باشد. اما انرژی جذب فیزیکی آن بر سطح داخلی نانولوله بور- سیلیکون (5,5) بسیار قوی بوده و بر سطح خارجی نانولوله فوق جذب شیمیایی انجام می دهد. مولکول 2n جذب فیزیکی نسبتاً ضعیفی را بر سطح خارجی و داخلی نانولوله های سیلیکونی(5,5) و (8,0) انجام می-دهد و انرژی جذب آن بر سطح خارجی و داخلی نانولوله بور- سیلیکون (5,5) تقریباً یکسان و متوسط می باشد. نتایج نشان می دهد که مولکول 2h بر سطح خارجی و داخلی نانولوله سیلیکونی (5,5) یک جذب فیزیکی با انرژی جذب ناچیز انجام می دهد و در سطح خارجی و داخلی نانولوله سیلیکونی(8,0) جذب نمی شود. اما جذب 2h بر هر دو سطح خارحی و داخلی نانولوله بور- سیلیکون جذب فیزیکی با انرژی جذب بسیار زیاد است. مولکول 2o دارای رفتاری متفاوت از سایر گازهای بررسی شده بوده و بر سطح خارجی و داخلی هر دو نانولوله سیلیکونی و نانولوله بور- سیلیکون جذب شیمیایی انجام داده و شکاف انرژی homo-lumo در نانولوله سیلیکونی (5,5) کاهش و در نانولوله های سیلیکونی (8,0) و بور- سیلیکون(5,5) افزایش می یابد.