تحلیل و طراحی یک تقویت کننده کم نویز cmos به منظور حذف تداخل های ایجاد شده برای سیستم های با باند بسیار زیاد، در محدوده فرکانسی 3.1-10.6 ghz با تکنولوژی 0.18?m
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز
- نویسنده حسین رضایی
- استاد راهنما ابراهیم عبیری محمد رضا صالحی
- سال انتشار 1390
چکیده
تکنولوژی مخابرات پیشرفت عمده ای به جلو داشته است. رشد فوق العاده صنعت بی سیم، دسترسی جهانی به اینترنت و حتی افزایش نیاز و تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا ضرورت گام های بزرگ در زمینه تکنولوژی مخابرات را ایجاد می نماید. یکی از اجزای غیرقابل تعویض هر گیرنده فرکانس بالا، تقویت کننده جلویی کم نویز آن می باشد. به عنوان اولین بلوک ساخته شده در جلوی گیرنده، تقویت کننده کم نویز باید ماکزیمم بهره را تولید کند، درحالی که نویز وارد شده به سیستم را به صورت هم زمان به حداقل برساند. فرستنده-گیرنده های فرکانس بالا برای کار در استانداردهای مختلف طراحی می شوند. استاندارد باند بسیار پهن (uwb) یکی از این استانداردها است که در باند فرکانسی 3.1-10.6 ghz کار می کند. این استاندارد قادر به افزایش نرخ انتقال اطلاعات تا 450 mb/s می باشد و در سال 2002 توسط کمیته مخابرات دولت فدرال امریکا (fcc) ارایه گردید. یکی از چالش های مهم پیش رو در استفاده از سیستم باند بسیار وسیع، حضور سیگنال های مزاحم و تداخلگر در باند فرکانسی آن ها می باشد که می توانند اثرات ویرانگری روی سیگنال دریافت شده در گیرنده بگذارند. در این پایان نامه، روش جدیدی برای حذف تداخل های موثر بر عملکرد گیرنده های با باند بسیار زیاد در طبقه ورودی ارایه گردیده است. روش جدید به صورت هم زمان نویز و تداخل ها را در المان mos ورودی حذف می کند. این در حالی است که مدارهای ارایه شده در این روش هیچ توان مصرفی ندارد و امکان استفاده از آن در هر تقویت کننده ای به عنوان طبقه ورودی وجود دارد. در ادامه با استفاده از مدارهای ارایه شده به منظور حذف تداخل ها، اقدام به طراحی تقویت کننده های کم نویز با باند بسیار زیاد می کنیم. روش های جدید و ابتکاری به کار رفته در طراحی uwb lna منجر به افزایش بهره و کاهش عدد نویز مدار خواهند گردید. کلیه مدارهای ارایه شده در این پایان نامه با تکنولوژی tsmc 0.18 ?m cmos طراحی گردیده و توسط نرم افزار شبیه ساز agilent ads 2008a شبیه سازی گردیده و نتایج ارایه خواهند گردید.
منابع مشابه
اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین
Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...
متن کاملاثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین
Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...
متن کاملنحوه طراحی و ساخت یک تقویت کننده متوازن کم نویز مبتنی بر ترانزیستور hjfet در باند فرکانسی ghz ۱۱-۹
تقویت کننده های متوازن که طبقات آن با دو تزویج کننده متعامد به هم متصل شده اند معمولاً در مدارات مجتمع مایکروویو برای اجزاء توان بالا و پهن باند استفاده می شود. از کاربردهای مهم تقویت کننده متوازن در فرستنده/گیرنده رادارهای آرایه-فازی با تعداد زیاد است که موردنیاز سامانه های راداری هوافضا است و تقویت کننده متوازن مطلوب ترین گزینه برای به دست آوردن اهداف پیش بینی شده است. در تحقیق حاضر، چندین ترک...
متن کاملیک تقویت کننده کم نویز پهن باند با ترانزیستورهای مکمل
تقویتکننده کمنویز یکی از مهمترین بلوکهای به کار رفته در یک گیرنده راداری مانند گیرنده های راداری کنترل آتش محسوب میشود. در این مقاله یک تقویتکننده کمنویز پهنباند در محدوده فرکانسی 5/2 تا 5/5 گیگا هرتز ارائه شده است. ساختار این مدار در طبقه ورودی به صورت سورس مشترک تعریف شده و تکنولوژی مورد استفاده در طراحی این تقویتکننده است. ولتاژ تغذیه مدار 5/1 ولت و توان مصرفی آن18 میلی وات است. تقوی...
متن کاملطراحی پیش تقویت کننده rgc کم نویز مدار مجتمع cmos با پهنای باند ghz 20 و بهره dbω 60
در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی میشود. د...
متن کاملطراحی پیش تقویتکننده RGC کم نویز مدار مجتمع CMOS با پهنای باند GHz 20 و بهره dBΩ 60
در این مقاله، یک مدار تقویتکننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستمهای مخابرات نوری ارائه میشود. در این مدار یک پیشتقویتکننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویتکننده امپدانس انتقالی میشود. د...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023