طراحی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با سورس و درین مهندسی شده

پایان نامه
  • وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس
  • نویسنده نرجس مقدم
  • استاد راهنما محمدکاظم مروج فرشی
  • تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
  • سال انتشار 1389
چکیده

رفتار دوقطبی همسان و تونل زنی نوار به نوار در ترانزیستورهای ساخته شده از نانولوله های کربنی، سد راه مجتمع سازی این افزاره ها است. از این رو، بر آن شدیم تا ساختاری را طراحی و پیشنهاد کنیم که این دو مشکل را مرتفع سازد. در این پایان نامه، ساختار ماسفت جدیدی بر پایه ی نانوله های کربنی پیشنهاد و شبیه سازی می شود. نواحی سورس درین این ترانزیستور تشکیل شده از نانولوله ی چند جداره که با پیش روی به سوی کانال جداره های آن ها به طور پلکانی برش داده می شود، تا نهایتا از هردو سو به نانولوله ی تک جداره ای منتهی شود که نقش کانال را ایفا می کند. نانولوله ی آغازین از نوع زیگزاگ هفت جداره با پیچش (0، 16) درونیترین نانولوله است. با این انتخاب، بخش هفت جداره ی سورس و درین با چگالی حامل های n=109 m?1 دارای خاصیت کاملا فلزی است و با پیش روی به سوی کانال و حذف هر جداره ی خارجی، از چگالی حامل ها و همچنین خاصیت فلزی آن کاسته می شود، به گونه ای که چگالی حامل ها در کانال تک جداره ی ترانزیستور، با خاصیت نیم رسانایی، n=107 m?1 است. در حقیقت با این روش، ساختار نوار به گونه ای مهندسی می شود که هم نواحی سورس و درین ترانزیستور از ناخالص سازی بی نیاز می شوند و هم تونل زنی نوار به نوار تاحدی کاهش می یابد که رفتار دوقطبی همسان ناشی از آن تقریبا به طور کامل حذف می شود. با توجه به طول های انتخابی، ترابرد حامل ها در سراسر طول ترانزیستور به صورت حرکت پرتابی (ترابرد بالیستیکی ) است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که نسبت جریان های روشن به خاموش ترانزیستور پیشنهادی 100 برابر بزرگتر از ساختارهای ارائه شده ی پیشین با ابعاد مشابه است. به علاوه، مزیت دیگر این ساختار بر ساختارهای پیشین عدم نیاز به ناخالص سازی شیمیایی برای ایجاد نواحی سورس و درین است. در همه ی ساختارهای پیشین، برای ایجاد سورس و درین از ناخالص سازی نانولوله تک جداره ی نیم رسانا به روش متداول شیمیایی استفاده شده است. لازم به ذکر است که نه تنها تاکنون روشی برای کنترل دقیق چگالی ناخالصی های شیمیایی وجود ندارد، بلکه این گونه ناخالصی خود موجب ناپایداری قطعه نیز می شوند. لذا انتظار براین است که در صورت میسر شدن امکان ساخت ماسفت پیشنهادی، افزاره ی پیشنهادی از افزاره های موجود پایدارتر خواهد بود. در ضمن امکان کنترل دقیق تر توزیع چگالی حامل های در طول افزاره، با برش های انتخابی وجود خواهد داشت. مشخصه های ماسفت پیشنهادی از حل هم زمان معادله های پواسن و شرودینگر به روش خودسازگار و با بهره گیری از یک تابع گرین غیرتعادلی با درنظرگرفتن فضای مدی شبیه سازی شده است. درضمن، برای شبیه سازی ساختار نوار مهندسی شده، صرفا اوربیتال های pz را درنظر گرفته و از تقریب تنگ بست استفاده کرده ایم.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

طراحی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان گرافنی با نواحی سورس و درین مهندسی شده

جریان خاموشی بالا و کم بودن نسبت جریان روشن به خاموش در ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن، یکی از معایب و مشکلات مجتمع سازی این نوع افزاره ها است. در نتیجه بر آن شدیم تا ساختار هایی را معرفی کنیم که این مشکلات را به حداقل برسانیم. در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن و همچنین مهندسی اتصالات سورس و درین در این ترانزیستورها به منظور کاهش جریان ...

15 صفحه اول

بررسی اثر هاله ناخالصی کانال و شیب غلظت آن در ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی با آلایش سبک ناحیه سورس و درین با هاله خطی

In this work, a lightly doped drain and source CNTFET with a linear channel impurity halo is proposed and the effect of linear halo slope variation on ON current, ON–OFF current ratio, leakage current, power–delay product (PDP) and cutoff frequency has been investigated. Proposed linear halo lightly doped drain and source CNTFETs has been simulated using non equilibrium Green’...

متن کامل

ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با ناخالصی‌های سبک در کانال و دی‌الکتریک دو قسمتی

Carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs), are considered as a proper candidate to improve the silicon transistor performance at short channel regime. In this paper a novel CNTFET with lightly doped channel and dual section dielectric (LIC-DSD-CNTFET) is proposed. This structure is compared with conventional (C-CNTFET) and dual section dielectric (DSD) structures with similar dimension...

متن کامل

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

متن کامل

اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین

Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...

متن کامل

بهبود عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل‌زنی در حضور ناهمپوشانی

یکی از موارد مهم در فرآیند ساخت افزاره‌ها در مقیاس نانومتر، آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین– سورس است. در این مقاله برای اولین بار اثر آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین- سورس برای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل‌زنی بررسی شده است. برای مطالعه و شبیه‌سازی مشخصات الکتریکی افزاره از حل خودسازگار معادله‌های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. عملکرد افزاره برحسب ...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023