طراحی فیلترهای مجتمع با تکنیک si (جریان سویچ شده) switched current filters

تکنیک si یک حوزه جدید در پردازش اطلاعات نمونه برداری شده آنالوگ باز کرده است که مزایایی چون عدم نیاز به خازنهای خطی شناور و مناسب بودن برای عملکرد ولتاژ پائین در طرحهای سیگنال مخلوط شده ، را در فرآیندهای ساخت استاندارد cmos آسان می کند. با این امکان می توان مزیت های مدارهای آنالوگ ( ارتباط با دنیای واقعی ، سرعت بالاتر و مصرف توان کمتر ) را درکنار مزیت های مجتمع سازی cmos ( کاهش ولتاژ تغذیه ، امکان اجرای soc و... ) را برای بلوک اساسی آنالوگ مثل پالایه ها و حلقه های فاز قفل شده و... ، دارا بود. در فصل اول مروری مفصل بر کارهایی که در زمینه تکنیک si انجام شده، می کنیم. در فصل دوم به بررسی اصول تکنیک si می پردازیم و نسل اول، نسل دوم، نوع s^2 i و نوع کلاس ab سلولهای حافظه و سلولهای تاخیر معرفی می شوند. در فصل سوم خطاهای موجود در این روش با جزئیات بررسی می شوند و روشهای مقابله با این خطاها به طور مفصل بررسی می شوند. در فصل چهارم به معرفی آیینه جریان و سلول si پیشنهادی می پردازیم. در این فصل ساختار new high swing regulated cascode برای افزایش مقاومت خروجی و مقابله با خطای نسبت هدایت، و ساختار dummy cascode transistor برای مقابله با خطای cft معرفی می شوند و نتایج شبیه سازی موید این ساختارها خواهد بود. در فصل پنجم به طراحی پالایه های si موجی می پردازیم و یک پالایه نردبانی درجه سه بیضوی طراحی می شود. نشان داده می شود که چطور اجزای پالایه موجی را بر اساس اصول روش wdf از مرجع فعال گرفته و ترکیب این اجزاء را در سطح ترانزیستور انجام میدهیم. در حین روند طراحی یک روش جدید در تغییر مقیاس خروجی آیینه های جریان و دو مرحله بهینه سازی ضرایب گفته می شود. تمام ساختارهای ایجاد شده از جمله آیینه جریان و سلول si ، در این بررسی موردی به تایید می رسند. مقادیر بدست آمده خوب و قابل مقایسه هستند.