اثز نرخ رشد در الکترونهشت با پتانسیلنا متقارن بر میکروساختار و خواص مغناطیسی نانوسیم های آهن

چکیده: پتانسیل کاربردی، اهمیت و ضرورت ساخت نانوسیم های مغناطیسی دارای ناهمسانگردی عمودی و نیز روش های متنوع آماده سازی چنین ساختار هایی به همراه پارامتر هایی که بر این ساختار اثر گذارند، باعث شده تا محققان زیادی خواص مغناطیسی نانوسیم ها را مورد مطالعه قرار دهند. از اینرو در فعالیت حاضر، پس از ساخت قالب اکسید آلومینای آندی (aao) خاصی (حفره های موازی به قطر تقریبی 30 نانومتر و فاصله بین حفره ای 104 نانومتر و ارتفاع 20 میکرومتر با نظم بلند برد) با روش آندایز نرم دو مرحله ای، اثر اسیدیته، تقارن و عدم تقارن ولتاژ و فرکانس مورد بررسی قرار گرفت. برای ساخت قالب aao، الکترولیت، ولتاژ آندایز و دما به ترتیب؛ اسید اگزالیک، 40 ولت و 17 درجه سانتیگراد بودند. علاوه بر آن، خواص مغناطیسی و میکروساختار نانوسیم ها با استفاده از مغناطومتر گرادیان نیروی تناوبی (agfm) و پراش پرتو ایکس (x-ray) مورد بررسی قرار گرفت. اندازه گیری مغناطش نمونه ها نشان داد که با افزایش عدم تقارن ولتاژ کاهش و اکسایش، مقدار مغناطش نمونه ها افزایش یافت. از سوی دیگر میدان وادارندگی و نسبت مربعی نمونه ها نشان داد که بهینه فرکانس، hz 1000 است که این فرکانس به ازای تمام ولتاژها و اسیدیته ها برقرار است، بطوریکه در این فرکانس سیستم، در پایدارترین وضعیت خود است. با افزایش تقارن ولتاژ، بر مقدار وادارندگی و بلورینگی نانوسیم ها افزوده می شود. ممکن است کاهش نرخ رشد دلیلی برای افزایش بلورینگی و وادارندگی نانوسیم ها باشد. آنالیز پرتو ایکس نشان داد که هر دو فاز با ساختار) bcc(110 و hcp در این فعالیت ساخته شده است.