انتشار جفت سالیتون های فتوولتاییک در مواد نورشکستی دوفوتونی تحت شرایط مدار باز

در این پایان نامه ابتدا مبانی انتشار موج را در موجبرهای مختلف تخت و استوانه ای بدون در نظر گرفتن اثر غیرخطی مورد بررسی قرار داده ایم و سپس اثر الکترواپتیکی خطی را در مواد ناهمسانگرد بیان و در پی آن اثر نورشکستی را در این مواد بررسی کردیم. در ادامه گذر کوتاهی نیز بر معادلات حاکم بر مواد نورشکستی بر پایه دو مدل تک فوتونی و دوفوتونی داشتیم. سپس به بیان تاریخچه ای از سالیتون های نوری پرداختیم و در ادامه وجود جفت سالیتون های فوتوولتائیک خاص را در مواد نورشکستی دوفوتونی به کمک روش رانگ-کوتا نشان داده ایم. در قدم بعد شبیه سازی انتشار پرتو های شبه سالیتونی روشن-روشن، روشن-تاریک و تاریک-تاریک را در موجبر تخت مورد بررسی قرار دادیم. در این شبیه سازی از روش تفاضلی به علاوه روش کرانک-نیکلسون بهره گرفته شده است. همچنین برای حل شرایط مرزی از روش رانگ-کوتا استفاده شده است. در این شبیه سازی با ثابت فرض کردن دیگر پارامترها و تنها با تغییر دامنه های ورودی توانستیم نتایج قابل قبولی را به دست آوریم که از آن جمله می توان به یافتن دامنه های بحرانی جهت طراحی کلیدهای راهیاب اشاره کرد. در نهایت برای بررسی امکان کلید زنی نوری در مواد نورشکستی، از آرایش مزدوج موازی بهره گرفتیم و با شبیه سازی انتشار پرتو در این دو موجبر با همان روش پیشین نحوه تبادل انرژی و انتشار پرتو ها بین دو موجبر تخت موازی با تغییر دامنه-های ورودی در این موجبرها مورد بررسی قرار داده ایم.