بررسی لایه ی میانی نانولوله ی کربنی و اکسید سیلیکون

همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پرداختیم.در این راستا خواص مکانیکی نانولوله های کربنی زیگزاگ را مورد بررسی قرار داده و با استفاده از مدل تحلیلی بوتیکر مقاومت هال و مقاومت ترانزیستورهای اثز میدانی را محاسبه کردیم. وجود سد شاتکی در پیوندگاه های کانال هایی در مقیاس نانو، امکان کار کردی تقریباً بالستیکی mosfet را باعث می شوند. این سدهای انرژی باعث محدودیت رسانندگی ترانزیستور می گردد و در نتیجه، نظریه ی ناتوری ( natori ) را به حوزه ی بالستیکی ماسفت کاهش می دهد. نظریه ی تحلیلی ما نشان می دهد که پیوندگاه swcnt – hwfm همانند تماس اهمی در نانو لوله های فلزی بالستیکی ( در دمای اتاق ) عمل می کند و سبب می شود تا به این نتیجه برسیم که رسانش در ترابرد بالستیکی به مقدار 4e^2/h برسد.