مطالعه ساختارهای عرضی میدان الکتریکی نور در میکروکاواکهای نیمه هادی در حالت فعال
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز
- نویسنده محمد ربیعی
- استاد راهنما حبیب تجلی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1386
چکیده
چکیده ندارد.
منابع مشابه
مطالعه دینامیک عرضی میدان الکتریکی در میکرومشددهای نیمه هادی بدون حذف بی در روی قطبش
چکیده ندارد.
15 صفحه اولاثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین
Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...
متن کاملاثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین
Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...
متن کاملبررسی و شبیه سازی کانورتر SEPIC با آلمان های نیمه هادی در سیستم رانش الکتریکی
: امروزه از یک سو، تجهیزات الکتریکی در هر کشتی برای ارتباطات، سیستم‌های موقعیت‌یابی، راندن موتورها مورد نیازند و از سوی دیگر، امکان کنترل موتورهای الکتریکی با سرعت متغیر در یک محدوده کوچک با توان بالا، قابلیت اطمینان و قیمت تمام شده، راه حل های رقابتی، استفاده از رانش الکتریکی را ضروری ساخته است. یکی از بخش های تشکیل دهندهی سیستم رانش الکتریکی کانورترها هستند که به منظور دستیابی به سطوح ولتاژ ...
متن کاملمدل تحلیلی جریان الکتریکی مبتنی بر بار با در نظر گرفتن میدان الکتریکی عرضی برای نانو ترانزیستور ماسفت دوگیتی
در این مقاله، برای ترانزیستور ماسفت دوگیتی متقارن با آلایش کم با استفاده از انتقال نفوذی و رانشی حامل‌های بار وارونه، یک مدل تحلیلی برای جریان الکتریکی ارائه شده است. نخست، با استفاده از معادله پواسون یک‌بعدی کانال بلند در جهت عمود بر کانال در حضور حامل‌های متحرک بار، معادله دیفرانسیلی برای بار کانال به‌دست می‌آید که پاسخ آن تغییرات مؤلفه غلظت بار کانال بلند را در امتداد عمود بر کانال نشان می...
متن کاملمحاسبه ظرفیت خازنی ساختارهای مختلف نیمه هادی و کاربرد آن در قطعات نیمه هادی تک الکترونی
در این پروژه پس از معرفی قطعات تک-الکترون متعارف و مورد استفاده و مشکلات آنها، به بررسی ساختارهای سوزنی شکل در ابعاد و اندازه های متفاوت می پردازیم. این ساختارها به بافت سیلیکون متخلخل بسیار شبیه هستند. با اسبفاده از قابلیت های برنامه ی fastcap، پس از شبیه سازی ساختارهای تعریف شده، خازن آنها محاسبه و نشان داده می شود که مقدار این خازن در همان حدی است که جزیره های بکار برده شده در ادوات تک-الکتر...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023