بررسی پارامترهای موثر و طراحی دیودگان از جنس gaas به روش mbe
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران
- نویسنده فرنوش اسماعیلی فرد
- استاد راهنما احمد محدث کسایی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1381
چکیده
دیودگان از یک توده نیمه هادی با ساختار نواری ویژه ساخته می شود. اساس عملکرد دیودگان بر پایه تشکیل یک ناحیه رسانایی منفی در منطقه فعال آن می باشد. ساختار نوارهای باند انرژی نیمه هادی مورد نظر بگونه ای باید باشد که الکترونها تحت تاثیر یک میدان الکتریکی قوی، از یک حالت تحرک زیاد به یک حالت تحرک کم انتقال یابند که تحت این مکانیزم ، نیمه هادی در حالت رسانایی منفی قرار می گیرد، لذا در این حالت دیود با فرکانس حوزه گذرا شروع به نوسان می کند، این فرکانس بستگی به طول دیود و ولتاژ بایاس آن دارد . در صورتیکه یک مدار رزونانس خارجی به دیود گان وصل شود ، این دیود می تواند در مودهای مختلف نوسان و در فرکانس مدار رزونانس شروع به کار نماید.
منابع مشابه
طراحی و ساخت دیود گان از جنس gaas به روش mbe
دیود گان یکی از مهمترین ادوات نیمه هادی مایکروویو محسوب می شود که برای تولید و تقویت توان در محدوده پایین و متوسط، و فرکانس ighz تا بیش از 100ghz بکار گرفته می شود ویژگی های مثبت باعث استفاده گسترده از آن در نواحی مدارهای مایکروویو برای کاربردهای گوناگون شده است. این دیودها از نیمه هادی معدودی مانند inp, gaas و gan با ساختار باند انرژی ویژه قابل ساختند و روش های مختلف رونشانی برای ساخت آن ها ...
15 صفحه اولبررسی پارامترهای موثر در ساخت کربن فعال به روش فعال‌سازی شیمیایی با استفاده از روش طراحی آزمایش تاگوچی
در این تحقیق با استفاده از ضایعات کشاورزی همچون پوست گردو سعی شد کربن فعالی با بیشترین سطح ویژه تهیه شود. روش استفاده شده در ساخت کربن فعال، فعال‌سازی شیمیایی انتخاب شد. برای بررسی پارامترهای موثر در روش فعال‌سازی شیمیایی از طراحی آزمایش استفاده شد. پارامترهایی که مورد بررسی قرار گرفتند نسبت اشباع سازی، دما و زمان کربنیزه کردن بود. بررسی آزمایشها به روش تاگوچی نشان داد که بهترین نمونه از نظر ...
متن کاملGaInNAs ( Sb ) lasers grown on GaAs by MBE
We demonstrate the first 1.5 mm GaInNAsSb laser grown on GaAs. It exhibits much improved threshold current density as compared with previously reported GaInNAs lasers at 1.52 mm. A 1.465mm laser with far superior performance is also demonstrated. This device exhibits a pulsed threshold current density of 930A/cm per quantum well, a differential quantum efficiency of 0.30W/A (both facets), an ex...
متن کاملLow-Temperature MBE Grown GaAs for Pulsed THz Radiation Applications
The coherent generation and detection of terahertz (THz) radiation using ultrashort laser pulses and photoconductive antennae have been intensively studied during the last decade. The best results were achieved when low-temperature MBE grown GaAs (LTG GaAs) or ion-implanted GaAs layers were used as a basis for THz emitters and detectors. The ultimate performance of these devices depends on carr...
متن کاملPhotomodulated Reflectance Spectroscopy of GaAsBi/GaAs layers grown by MBE
The III-bismides are considered to be a very attractive set of III-V alloys due to their potential applications in photonic and spintronic devices. The incorporation of bismuth into GaAs, with its band anti-crossing effect in the valence band of GaAs, leads to a decrease in the temperature dependence of the bandgap. Such a material may be very useful in designing temperature-insensitive semicon...
متن کاملExploring the Growth Mechanisms of GaAs Nanowires Grown by MBE
We have successfully grown GaAs nanowires by Molecular Beam Epitaxy. In this work, we investigate the principal growth mechanisms underlying nanowire growth by measuring the morphology of the nanowires and comparing them to a simple growth model. From this, we are able to make several conclusions. The results of the data show that Adatom Diffusion contributes more to the overall growth rate tha...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023