تحلیل آرایه های موجبری شکافدار مسطح به منظور طراحی با سطح گلبرگ فرعی بسیار پایین analysis of planar slotted-waveguide arrays for very low sidelobe level(vlsl) design

یک شکاف باریک در دیواره پهن موجبر مستطیلی به کمک روش ممان تحلیل شده است . در این روش اثر القای مجدد روی دیواره ها و ضخامت دیواره موجبر لحاظ شده است . در واقع روش ممان برای حل یک جفت معادله انتگرالی- حاصل از شرایط مرزی و بکمک توابع گرین - بکار رفته است . در نتیجه حل این دو معادله، مولفه مماسی میدان الکتریکی روی سطوح بالایی و پایینی شکاف بدست آمده است . این میدان ها با یک سری تابع سینوسی بسط شده است و نشان داده شده است که تنها چند جمله برای همگرایی پاسخها کافی است . در نتیجه ابعاد ماتریس حاصل کاهش یافته است . سپس نتایج تحلیل پارامترهای مختلف شکاف با نتایج اندازه گیری ها مقایسه شده است . این روش عددی برای تحلیل تابش از آرایه موجبری شکافدار مسطح توسعه داده شده است . این مساله ابتدا به صورت معادلات انتگرالی و بکمک اصل تعادل تدوین شده است . سپس این معادلات به روش ممان حل شده است . برای این منظور از توابع پایه سینوسی فراگیر و روش گلرکین استفاده شده است . روش ممان به محاسبه ماتریس های ادمیتانس نیاز دارد که در آنها توابع دایادی گرین مختلفی بکار رفته است . تکینی یکی از انتگرالهای ماتریس ادمیتانس نیم فضا به روشی مناسب رفع شده است . نهایتا نتایج تحلیل مشخصات آرایه های خطی و مسطح با نتایج اندازه گیری ها مقایسه شده است .