نتایج جستجو برای: inganas
تعداد نتایج: 11 فیلتر نتایج به سال:
We have calculated the optical absorption for InGaNAs and GaNSb using the band anticrossing (BAC) model and a self-consistent Green's function (SCGF) method. In the BAC model, we include the interaction of isolated and pair N levels with the host matrix conduction and valence bands. In the SCGF approach, we include a full distribution of N states, with non-parabolic conduction and light-hole ba...
We report a triple junction InGaP/GaAs/InGaNAs solar cell with efficiency of ~31% at AM0, 25 °C fabricated using a combined molecular beam epitaxy (MBE) and metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) processes. The prototype cells comprise of InGaNAs (Indium Gallium Nitride Arsenide) bottom junction grown on a GaAs (Gallium Arsenide) substrate by MBE and middle and top junctions deposited...
We report a triple junction InGaP/GaAs/InGaNAs solar cell with efficiency of ~31% at AM0, 25 °C fabricated using a combined molecular beam epitaxy (MBE) and metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) processes. The prototype cells comprise of InGaNAs (Indium Gallium Nitride Arsenide) bottom junction grown on a GaAs (Gallium Arsenide) substrate by MBE and middle and top junctions deposited...
Recently, the quaternary InGaAsN alloy system has attracted a great deal of attention due to its potential application in devices such as next generation multi-junction solar cells and optoelectronic devices for example laser diodes for optical communications in IR region. In this paper, we have investigated the role of nitrogen on the improvement of optical efficiency in InGaNAs nanostructur...
در این مقاله سعی بر آن است که ضمن مطالعه نقش نیتروژن در فرآیندهای اپتیکی نیمه رسانای inganas, روشهای بهبود بازده اپتیکی نانوساختارهای این نیمرسانا را به منظور به کارگیری آن در ساختمان دیودهای لیزری ناحیه ir تشریح کنیم و نشان دهیم که چگونه با وارد کردن نیتروژن به ساختار inganas طول موج گسیلی آن به ناحیه مطلوب منتقل می شود و چگونه ضمن رسیدن به طول موج مناسب می توان بهره اپتیکی را بهبود بخشید. تغی...
برخی خواص فیزیکی منحصر بفرد نیمرساناهای نیتروژندار رقیق (in)ganas سبب شده است که در دهه ی اخیر به عنوان ماده ای جالب توجه در دیود لیزرهای فروسرخ، سلولهای خورشیدی چند پیوندگاهی با بازده بالا و سایر ابزارهای الکتریکی مورد توجه زیادی قرار گیرند. معلوم شده است که با افزودن نیتروژن به مقدار ناچیز (کمتر از 5%) به نیمرسانای gaas، گرچه گاف انرژی آن را به طور قابل ملاحظه ای کاهش جرم موثر الکترونها افزای...
چکیده ندارد.
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید