نتایج جستجو برای: glass bonding

تعداد نتایج: 114585  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده مهندسی 1391

الیاف شیشه، الیاف ظریف خمش پذیری از خانواده شیشه با اجزاء اصلی sio2-al2o3-cao-mgo و ناخالصی های قلیایی، اکسید های معدنی tio2,fe2o3 و افزودنی b2o3 و فلئور می باشد و در حالت مذاب بصورت رشته های نخی شکل، رشته رشته می شود.الیاف شیشه به دو گروه اصلی پشم شیشه و الیاف پیوسته تقسیم بندی می شود و الیاف شیشه نیز بر حسب شرایط مصرف به چندین نوع e-glass , a-glass, c-glass , r-glass , s-glass , ecr-glas...

Journal: :IEICE Transactions 2017
Eiji Higurashi Ken Okumura Yutaka Kunimune Tadatomo Suga Kei Hagiwara

Wafers with smooth Au thin films (rms surface roughness: < 0.5 nm, thickness: < 50 nm) were successfully bonded in ambient air at room temperature after an Ar radio frequency plasma activation process. The room temperature bonded glass wafers without any heat treatment showed a sufficiently high die-shear strength of 47–70MPa. Transmission electron microscopy observations showed that direct bon...

2016
Petr Valášek Miroslav Müller

VALÁŠEK PETR, MÜLLER MIROSLAV. 2016. Possibilities of Adhesives Filling With Micro-particle Fillers – Lap-shear Tensile Strength. Acta Universitatis Agriculturae et Silviculturae Mendelianae Brunensis, 64(1): 195–201. An adhesive bonding can be ranged among technologies of materials bonding which are used in all industrial branches. It plays its important role also in an area of the constructio...

Journal: :The European Journal of Orthodontics 1996

Journal: :Journal of the Society of Materials Science, Japan 1968

Journal: :Journal of the Ceramic Association, Japan 1966

2003
H. Yin R. L. Peterson K. D. Hobart S. R. Shieh T. S. Duffy

Relaxed, high Ge content SiGe layers have been realized using stress balance on a compliant borophosphorosilicate glass (BPSG). A 30-nm fully-strained Si0.7Ge0.3 layer was transferred onto a 1 μm BPSG film by wafer-bonding and Smart-cut processes, after which the continuous Si0.7Ge0.3 film was patterned into small islands to allow for lateral expansion. After the strain in Si0.7Ge0.3 islands wa...

Journal: :Journal of The Electrochemical Society 2008

Journal: :Advances in Bioscience and Biotechnology 2011

Journal: :Journal of the Society of Materials Science, Japan 1968

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید