هدف از این تحقیق بررسی میدان جریان، میدان دما و انتقال حرارت جابجایی طبیعی نانوسیال آب -اکسید تیتانیوم در محفظه ای مربعی شیب دار و تحت تأثیر میدان مغناطیسی زاویه دار می باشد. دیواره های افقی محفظه عایق بوده، دیواره سمت چپ گرم و دیواره سمت راست آن سرد است. مطالعه در اعداد رایلی 3¬10، 5¬10 و 7¬10، اعداد هارتمن 0، 30 و 60، زاویه ی شیب محفظه 0، 30، 45، 60 و 90 درجه، زاویه¬ی میدان مغناطیسی 0، 30، 60...

هدف اصلی پژوهش حاضر، بررسی جریان سیال و انتقال حرارت نانوسیال آب - مس در یک کانال دو بعدی فین دار، تحت تأثیر میدان مغناطیسی می باشد. روش مورداستفاده برای به دست آوردن معادلات انفصال، استفاده از حجم کنترل می باشد که با الگوریتم سیمپلر در کد کامپیوتری نوشته شده است. دیوار بالایی عایق و دیوار پایینی گرم شده و در دمای ثابت قرار دارد. این مطالعه در اعداد رینولدز 5 و 50 و 100، اعداد ریچاردسون 0.01...

پروژه ی حاضر به بررسی انتقال حرارت جابه جایی اجباری جریان نانوسیال آب- اکسید آلومینیوم و آب- اکسید مس درون دو میکروکانال به هم چسبیده که از بالا و پایین عایق بوده و در طولی از وسط آن میدان مغناطیسی اعمال می گردد می پردازد. جهت این بررسی، معادلات بقای جرم، مومنتوم و انرژی در حالت دو بعدی آرام بکار گرفته شده است. گسسته سازی معادلات به وسیله ی روش حجم محدود انجام شده است. در تحقیق حاضر موضوع اصلی،...

در کار حاضر، برای اولین بار، انتقال حرارت جابجایی ترکیبی نانوسیال درون محفظه K شکل در حضور میدان مغناطیسی با استفاده از روش شبکه بولتزمن شبیه‌سازی شده است. دیواره‌های سمت راست و چپ محفظه در دمای ثابت سرد قرار دارند. دیواره افقی پایینی محفظه در دمای ثابت گرم است. دما روی دیواره افقی بالایی محفظه بصورت خطی تغییر می کند. در شبیه‌سازی صورت گرفته میدان جریان و دما با حل همزمان توابع توزیع جریان و دم...