نتایج جستجو برای: molecular beam epitaxy

تعداد نتایج: 746525  

2015
S. R. Johnson Yu. G. Sadofyev D. Ding Y. Cao S. A. Chaparro Y.-H. Zhang

2015
Z.-Q. Fang W. Kim Hadis Morkoç Z. Fan H. Morkoç

2013
L. Maritato A. Galdi P. Orgiani J. W. Harter J. Schubert K. M. Shen D. G. Schlom

Z$("-$.)B%-31($* D("8"%).$7$1-*A).3*(01"-308*A)"8.)10+$%$8-(#)*1"--$%385&*3[$)38)C.\"><,I=S]4)+35+&U1)-+38)73(/*).$-$%/38$.)'# +35+)%$*0(,-308)^&%"#).377%"1-308 E?)B22(?)D+#*?)::IA)JIILJI)M>J:IN _"80*$108.)Y0(-"5$)2,(*$*)7%0/).$8.%3-31)7(,4)"Y"("81+$*)38)*,2$%108.,1-385)_'_)73(/* B22(?)D+#*?)!$--?):J>A)J>>PJ:)M>J:IN @"58$-0&$("*-31)'$+"Y30,%)07)-+38)-#2$&WW)*,2$%108.,1-385)*-%32)63-+)73$(.&.$2$...

2014
Lin Shao J. K. Lee Y. Q. Wang M. Nastasi Phillip E. Thompson N. David Theodore T. L. Alford J. W. Mayer Peng Chen S. S. Lau

Journal: : 2023

The effect of cooling conditions in the plasma-assisted molecular-beam epitaxy growth on structural and optical properties InGaN nanostructures is studied. It shown that samples without nitrogen plasma contributes to suppression phase separation nanostructures. integrated intensity photoluminescence from these increased by a factor 2. Keywords: InGaN, silicon, nanostructures, photoluminescence,...

Journal: :Journal of Crystal Growth 2011

Journal: :Physical Review Materials 2020

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید