شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT
نویسندگان
چکیده مقاله:
در این مقاله، به ارائه یک ضربکننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی میپردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا طراحیشده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار میکنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضربکننده، با استفاده از فناوری CNTFET ،32 نانو متر طراحی میشود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضربکننده ارائهشده در شبیهساز HSPICE شبیهسازی شده است. نتایج حاصل از شبیهسازی نشان می دهد که مدار قابلیت عملکرد مطلوب را تا فرکانس 2 گیگا هرتز ، مصرف توان ماکزیمم 3.7464µw و همچنین دارای THD 0.226043% می باشد.
منابع مشابه
مقایسه تأثیر وضعیت طاق باز و دمر بر وضعیت تنفسی نوزادان نارس مبتلا به سندرم دیسترس تنفسی حاد تحت درمان با پروتکل Insure
کچ ی هد پ ی ش مز ی هن ه و فد : ساسا د مردنس رد نامرد ي سفنت سرتس ي ظنت نادازون داح ي سکا لدابت م ي و نژ د ي سکا ي د هدوب نبرک تسا طسوت هک کبس اـه ي ناـمرد ي فلتخم ي هلمجزا لکتورپ INSURE ماجنا م ي دوش ا اذل . ي هعلاطم ن فدهاب اقم ي هس عضو ي ت اه ي ندب ي عضو رب رمد و زاب قاط ي سفنت ت ي هـب لاتـبم سراـن نادازون ردنس د م ي سفنت سرتس ي لکتورپ اب نامرد تحت داح INSURE ماجنا درگ ...
متن کاملطراحی و شبیهسازی یک تمام جمعکننده جدید در تکنولوژی نانو لولهی کربنی با عملکرد بهینه
مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیادهسازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخشهای اصلی پردازندههای دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته میشود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمعکنندهی جدیدی با بهرهگیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولولهی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...
متن کاملطراحی و شبیهسازی یک تمام جمعکننده جدید در تکنولوژی نانو لولهی کربنی با عملکرد بهینه
مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیادهسازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخشهای اصلی پردازندههای دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته میشود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمعکنندهی جدیدی با بهرهگیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولولهی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...
متن کاملبررسی پارامترهای موثر بر کارایی دیوار ترومب با استفاده از شبیه سازی دینامیک سیالات محاسباتی
دیوار ترومب یا دیوار خورشیدی به عنوان یکی از روش های غیرفعال در گرمایش خورشیدی دسته بندی می شود. در این مقاله جریان هوای داخل محفظه دیوار ترومب توسط روش حجم محدود که از جمله روش های مرسوم دینامیک سیالات محاسباتی است، شبیه سازی شده است. در شبیه سازی ها از نرم افزار تجاری ansys fluent استفاده شده است. در ابتدا یک مدل مرجع معرفی شده و نتایج آن ارائه شده است سپس با استفاده از این مدل مرجع، پارامتر...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 10 شماره 38
صفحات -
تاریخ انتشار 2020-12-21
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023