بررسی تجربی، محاسباتی و شبیهسازی طیفهای رامان نانولولهی کربنی آلاییده به بور
نویسندگان
چکیده مقاله:
با توجه به کاربردهای فراوان و مختلف نانولولههای کربنی آلاییده به بور، ارتعاشات مولکولی مرتبط با عنصر بور در نانو لولهی کربنی آلاییده به بور به سه روش تجربی، محاسباتی و شبیهسازی شناسایی شد. در بررسی تجربی، طیف رامان نانولولهی کربنی خالص و آلاییده به بور ثبت و مدهای حساس به رامان به ارتعاشات خاص ذیربط نسبت داده شد. در روش محاسباتی، بسامدهای ارتعاشی C-C و C-B(زنجیره کربنی خالص و آلاییده به بور) با مدل نوسانگر هماهنگ ساده، شبیهسازی و جابهجایی بسامد ارتعاشی به بسامدهای کوچکتر مشاهده شد. در نهایت با روش شبیهسازی، بسامدهای ارتعاشی مولکولهای کربن- کربن و کربن- بور با استفاده از نرمافزار گاوسی مورد مطالعه قرار گرفت. بسامد مد ارتعاشی D وقتی بور کمتر از 3 درصد باشد به مقدار 1-8cm به بسامدهای کوچکتر جابهجا میشود (1-1336cm-1→ 1328cm). آلاییدگی نانولولهی کربنی با درصدهای بین 4 تا 10 درصد بور، بسامد مدهای ارتعاشی را به مقدار 18cm-1 به عددهای موج بالاتر جابهجا میکند (1328cm-1→1346cm-1). رابطهی ID/IG (نسبت ترکیبات کربنی بیشکل و مواد غیرکربنی در ساختار گرافیتی نمونه) با میزان آلاییدگی نانولولهی کربنی با بور افزایش مییابد(1.5→0.75). نتایج تغییرات شدت و بسامدهای مدهای ارتعاشی D و G با دقت قابل قبولی با روشهای تجربی، محاسباتی و شبیهسازی مورد تأیید قرار گرفت.
منابع مشابه
نانولولههای کربنی آلاییده به عناصر سه ظرفیتی با استفاده از طیفسنجی پسپراکندگی رامان
In this paper by using DC arc discharge method and acetylene gas, as the carbon source, and nitrogen, as the carrier gas, canrbon nanotubes, CNTs, doped with trivalent element boron, B, have been produced. The deposited CNTs on the cathod electrod, which have structural doped properties to boron element, have been collected and after purification have been investigated by back-scattering Raman...
متن کاملنانولوله های کربنی آلاییده به عناصر سه ظرفیتی با استفاده از طیف سنجی پس پراکندگی رامان
در این مقاله با استفاده از روش تخلیه قوس الکتریکی ( dc ) و با استفاده از گاز استیلن به عنوان منبع کربن و گازحامل نیتروژن, نانو لوله های کربنی آلاییده به عنصر سه ظرفیتی بور تولید شده است. نمونه های نانو لوله های کربنی نشست یافته بر روی الکترود کاتد را که دارای خاصیت آلاییدگی ساختاری به عنصر بور بودند, جمع آوری و پس از خالص سازی با استفاده از طیف سنجی پس پراکندگی رامان مورد مطالعه و بررسی قرار گر...
متن کاملتاثیرات آلاییدگی نانولوله کربنی به عنصر بور از نگاه طیف سنجی و رسانندگی الکتریکی (حسین حسن بوذری1* ، لاله فرهنگ متین2 ، رسول ملک فر3 ، عزیزاله شفیع خانی4)
دراین پژوهش با توجهبه کاربردهای فراوان نانولولههایکربنی درقطعات نانویی الکترونیک، طیف سنجی پراکندگی رامان نانولولههای کربنی بررسیشده است. در ابتدا بهصورت تجربی طیف رامان نانولوله کربنی خالص وآلاییده مورد بحث قرارگرفته و سپس طیف شبیه سازی نظری بیانشده و نتایج مقایسهشدهاست. باتوجهبه طیفهای بهدستآمده، در مقایسه با دادههای تجربی تطابق خوبی مشاهده شدهاست. درنانولولهکربنیخالص،...
متن کاملبررسی تجربی استفاده از طیفسنجی رامان در تشخیص سرطان
در این تحقیق به بررسی بافتهای سرطانی چندین اندام بدن با استفاده از طیفسنجی رامان لیزری پرداختهایم. در این راستا نمونههای مختلف بافتی با تشخیصهای پاتولوژیک متفاوت (سالم و سرطانی) از یک آزمایشگاه پاتولوژی به امانت گرفته و با دو سیستم طیفسنجی رامان بررسی شدند. از آنجایی که یکی از اهداف این مطالعه مستقل ساختن تشخیص از نوع سیستم طیفسنجی است؛ الگوریتمهایی برای حذف تفاوتهای سیستمیک در طیفهای ب...
متن کاملمقایسه تأثیر وضعیت طاق باز و دمر بر وضعیت تنفسی نوزادان نارس مبتلا به سندرم دیسترس تنفسی حاد تحت درمان با پروتکل Insure
کچ ی هد پ ی ش مز ی هن ه و فد : ساسا د مردنس رد نامرد ي سفنت سرتس ي ظنت نادازون داح ي سکا لدابت م ي و نژ د ي سکا ي د هدوب نبرک تسا طسوت هک کبس اـه ي ناـمرد ي فلتخم ي هلمجزا لکتورپ INSURE ماجنا م ي دوش ا اذل . ي هعلاطم ن فدهاب اقم ي هس عضو ي ت اه ي ندب ي عضو رب رمد و زاب قاط ي سفنت ت ي هـب لاتـبم سراـن نادازون ردنس د م ي سفنت سرتس ي لکتورپ اب نامرد تحت داح INSURE ماجنا درگ ...
متن کاملمدل بسته جریان - ولتاژ در ترانزیستورهای نانولوله کربنی آلاییده
In this paper a compact current-voltage model for MOSFET-like Carbon Nanotube Field Effect Transistors (MOSFET-like CNFET) is presented. To model these devices the one-dimensional drain/source current equation obtained from Landauer approach must be solved self-consistently with the equation relates the Fermi surface and carrier concentration. Also, numerically solve of the integral over densit...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
عنوان ژورنال
دوره 39 شماره جلد 84
صفحات 32- 41
تاریخ انتشار 2018-08-23
با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023