چکیده: در این پژوهش سعی شده تا تصویری منسجم و واضح از ماهیت حقوقی شرکت مدنی ارائه گردد. البته دستیابی به این مقصود به لحاظ ماهیت نسبتاً پیچیده و مبهم شرکت مدنی به آسانی میسور نبود. علت این پیچیدگی و ابهام نیز، بیان مبهم و ناقص قانونگذار به تبعیت از نظریات فقها در خصوص شرکت مدنی می باشد. نظریات متفاوتی که در خصوص تعریف و ماهیت شرکت مدنی از سوی فقها و حقوقدانان ارائه گردیده، هر کدام بر مبانی خاصی تکیه زده اند و در نتیجه به محصول منطقی همان مبانی نیز رسیده اند. به عبارت دیگر برخی از فقها و حقوقدانان شرکت مدنی را به عقد اداره مال مشاع تعریف نموده اند و آنرا جزء عقود اذینه و جایز محسوب نموده اند؛ برعکس برخی دیگر از فقها و حقوقدانان در تعریف شرکت مدنی، آن را به عقدی تعریف نموده اند که اثراصلی آن ایجاد اشاعه در اموال (آورده ها) می باشد و آنرا عقدی لازم دانسته اند. بنابراین با توجه به این اختلافات اساسی در خصوص ماهیت شرکت مدنی بر آن شدیم تا به این سوال اصلی پاسخ دهیم که آیا عقد مستقلی به نام عقد شرکت مدنی وجود دارد یا خیر؟ از مجموع بررسی های این پژوهش میتوان گفت که یکی از عقود معین قانون مدنی، عقد شرکت مدنی می باشد، که اثر اصلی آن ایجاد اشاعه در اموال (آورده ها) می باشد و این اثر به محض انعقاد عقد شرکت مدنی حاصل می شود و دیگر نیاز به هیچ سبب دیگری ندارد و چنین عقدی یک عقد لازم می باشد که در ضمن آن شرکا در خصوص نحوه اداره مال مشترک به توافق می رسند که البته این توافق دوم نوعی وکالت و اعطای نیابت برای تصرف در مال غیر (مال مشترک) می باشد و عقدی جایز است. عقد تأسیس شرکت، مفهومی به کلی مجزا از عقد اداره مال مشترک می باشد، بطوریکه اولی،عقدی لازم و دومی عقدی جایز است. شرایط اختصاصی عقد شرکت مدنی عبارتند از: 1- داشتن هدف مشترک معین 2- فراهم کردن آورده (سهم الشرکه) 3- سهیم شدن شرکا در سود و زیان شرکت و 4- عدم اشتغال به معاملات تجارتی. همچنین عقد شرکت مدنی علاوه بر اسباب عمومی انحلال، دارای اسباب اختصاصی انحلال نیز می باشد. از جمله مهمترین اسباب اختصاصی انحلال عقد شرکت مدنی، تقسیم(افراز) می باشد که با «تفکیک»تفاوت های زیادی دارد. کلمات کلیدی:1)شرکت 2)شرکت نامه 3)شرکت مدنی 4)شرکت تجاری 5)شریک

در این تحقیق روشی برای افزایش تعداد کاربران قابل سرویس دهی در شبکه های دسترسی چندگانه کد-تفکیک زمان-گسترش (ts-ocdma) ارائه شده است. در روش بیان شده، یک کد به صورت مشترک در اختیار دو کاربر، به جای یک کاربر، قرار می گیرد. اختلاف توان به عنوان عامل تشخیص و تفکیک این دو کاربر از یکدیگر به کار گرفته می شود. در سایر روش ها، فرکانس و پلاریته نور به عنوان یک بعد اضافی در کد کردن، جهت افزایش تعداد کدهای قابل تولید و در نتیجه افزایش تعداد کاربران قابل سرویس دهی در شبکه، مورد استفاده قرار می گیرند. در این روش از بازسازهای غیر خطی نوری جهت تنظیم توان پالس ها در سطوح مختلف استفاده می شود. جهت طراحی این بازسازها، الگوریتم های مناسبی ارائه شده است. به منظور بررسی کیفیت سیستم و طراحی های انجام شده، یک سیستم ts-ocdma با در نظرگرفتن کلیه ی پارامترها، توسط نرم افزار optisystem شبیه سازی و با بررسی نتایج حاصله، عملکرد صحیح سیستم طراحی شده، مورد تأیید قرار گرفت.

نویز و تداخل منابع در سیستم های مخابرات نوری به اشکال مختلفی خود را نشان می دهند، که یکی از بارزترین این اشکال، نویز نشر خودبخودی تقویت شده از سوی تقویت کننده ها می باشد که با افزایش تعداد تقویت کننده ها و قرار گرفتن پشت سر هم آن ها، این نویز نیز بزرگ تر و پیامد های آن جدی تر می گردد. برای سیستم های ارتباطی راه دور مبتنی بر فیبر نوری، با استفاده از عملیات بازتولید تمام نوری، این نویز را کاهش داده و از روند تخریب سیگنال جلوگیری می کنند. از آن جایی که این عملیات به صورت تمام نوری انجام می شود، نیاز به تبدیل های الکتریکی-اپتیکی از بین رفته و سرعت این نوع پردازش سیگنال بالا می رود. در سال های اخیر استفاده از آثارغیرخطی اپتیکی، که در گذشته سعی بر حذف آن ها بود، باعث شده تا عملیات پردازش سیگنال به صورت تمام نوری و سرعت های بالا ممکن گردد. بازتولید تمام نوری نیز از این روند بی نصیب نمانده است. استفاده از اثر مدولاسیون فاز خودی، که یکی از آثار غیرخطی با پاسخ دهی زیر پیکوثانیه به حساب می آید، پردازش تمام نوری سیگنال ها را به فاز جدیدی از پیشرفت رهنمون ساخته است. در این تحقیق تلاش بر آن است که ضمن بررسی بازتولید تمام نوری مبتنی بر اثر مدولاسیون فاز خودی وشناخت بخش ها و عوامل موثر بر آن، بهبود و به سازی مشخصه های این نوع از پردازش سیگنال در دستور کار قرار گیرد. یکی از مهم ترین ابزار استفاده شده در این جهت برای تحقیق حاضر، به کار بردن سیلیکون به عنوان یک ماده ی به شدت غیرخطی و در عین حال سازگار با مدارات الکترونیکی است. باز تولید تمام نوری با نوع خاصی از فیلترهای نوری، برای اولین بار در این تحقیق، مطرح و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهد که بازتولید تمام نوری بر روی تراشه ی سیلیکونی با ساختار ارائه شده در این تحقیق، به نتایج بهتری نسبت به ساختار مشابه از جنس شیشه ی کالکوژن منتهی می گردد. در انتها نشان داده شده که بازتولید تمام نوری برای پالس نوری به پهنای 64 پیکوثانیه توسط شبکه ی براگ با شیفت فازی ممکن بوده و نتیجه ی حاصل از این حالت نیز برای تراشه ی سیلیکونی نسبت به نوع مشابه کالکوژنی بهتر می باشد.

یکی از پدیده های نوری که به شکل قدرتمندی در سیلیکون وجود دارد، پدیده پراکندگی رامان است. اندازه ضریب بهره رامان در سیلیکون هزاران برابر قدرتمندتر از سیلیکا است. این امر یک مزیت بزرگ برای سیلیکون به شمار می رود. اما متأسفانه پهنای باند بهره رامان در سیلیکون به حدود 100 گیگاهرتز محدود می شود. این امر نه تنها سبب محدود شدن آن در کاربردهایی با پهنای باند کم می شود، بلکه مانع از ایجاد تقویت کننده های باندپهن با استفاده از طرح های چند پمپی می گردد. اما چنانچه بتوان پهنای باند رامان را حتی به دو برابر مقدار کنونی آن افزایش داد، می توان به ساخت تقویت کننده های باند پهن امیدوار شد. یکی از ویژگی های سیلیکون، امکان ترکیب آن با دیگر نیمه هادی های گروه iv جهت بهبود مشخصات آن است. این امر در میکرو الکترونیک به صورت گسترده ای مورد استفاده قرار گرفته و در اپتیک نیز می تواند مفید باشد. اعمال ناخالصی ژرمانیوم سبب جابجایی فرکانس مرکزی بهره رامان در سیلیکون می گردد. بنابراین با استفاده از طرح های ترکیبی از سیلیکون ژرمانیوم که مقادیر مختلفی از ناخالصی دارند، می توان پهنای باند تقویت کننده را به میزان قابل قبولی افزایش داد. در این تحقیق ابتدا انواع تقویت کننده های رامان سیلیکونی مورد بررسی قرار گرفته و بهره آن ها در مدل های سیگنال کوچک و سیگنال بزرگ مقایسه شده است. سپس موجبرهای سیلیکون ژرمانیومیِ متداول بررسی شده و با تعیین میزان انحصار نور در نواحی مختلف موجبر و همچنین تعیین بهره رامان در ناخالصی های مختلف ژرمانیوم، میزان بهره کلی رامان درون موجبر محاسبه شده است. دیگر عوامل موثر بر بهره کلی تقویت کننده میزان ضرایب جذب هستند، که برای ناخالصی های مختلف محاسبه شده است. پس از تعیین عوامل مختلف بر بهره تقویت کننده، با استفاده از طرح های ترکیبی از سیلیکون ژرمانیوم، بهره تقویت کننده به مقادیر قابل توجهی افزایش یافته است. قدرتمند بودن پدیده رامان در سیلیکون، آن را برای کاربردهای مختلف به ویژه پردازش اطلاعات، جذاب می سازد. در انتهای این تحقیق چند کاربرد برای تقویت کننده های رامان ارائه شده است. با افزایش پهنای باند تقویت کننده کاربردهای احتمالی این قطعات بیشتر نیز خواهد شد.

در سال های اخیر تکنولوژی های مخابراتی پیشرفت بسیار زیادی داشته است، رشد فوق العاده صنعت بی سیم، دسترسی جهانی به اینترنت و افزایش تقاضای انتقال اطلاعات با سرعت بالا، برداشتن گام های بزرگ در زمینه تکنولوژی های مخابراتی را ضرورتی اجتناب ناپذیر می نماید. یک گیرنده مخابراتی به عنوان یکی از ارکان سیستم های مخابراتی سیگنالی در حدود نانو ولت را دریافت می کند، بنابراین تقویت کننده کم نویز به عنوان دومین بخش این گیرنده ها برای اینکه سیگنال را بدون اعوجاج عبور دهد باید بهره توان بالا و عدد نویز پایینی داشته باشد، عموما در ساختارهایی که در سال های اخیر طرح گردیده است، بهبود یکی از دو پارامتر بهره توان و عدد نویز هدف بوده و از توجه همزمان به این دو پارامتر خودداری گشته است اما با توجه به تاثیرات بسیار زیاد بهره توان و عدد نویز بر یکدیگر، در این پایان نامه به بهبود عدد نویز و بهره توان در یک تقویت کننده کم نویز بصورتی موازی پرداخته شده است. مطابق با قانون فریز تمرکز طراحی ها بر روی طبقه ورودی قرار می گیرد و بنابراین برای دستیابی به عدد نویزی پایین و در کنار آن بهره توانی بالا، المان هایی که باعث کاهش بهره توان و افزایش عدد نویز در طبقه ورودی می شوند از مدار حذف می گردند، حذف این المان ها ایجاد تطبیق را دچار مشکلاتی خواهد کرد که برای جبران آن، بکارگیری سلف های تزویج پیشنهاد می شود. در ساختارهای پیشنهادی، مشابه با روش هایی که از سلف در سورس تقویت کننده استفاده می کنند یک مقاومت بدون نویز ایجاد می شود که از آن می توان برای ایجاد تطبیق امپدانس در باند وسیع استفاده کرد، البته بر خلاف این روش ها مقاومت ایجاد شده بهره توان را در مدار کاهش نمی دهد. در این ساختارها به کمک سلف های تزویج عدد نویز در حدود0.5 db و بهره توان 31 db بدست آمده است. توان مصرفی ساختارهای طراحی شده کمتر از 10 mw می باشد که مقدار مناسبی است. پاسخ بهره توان بدست آمده بسیار تخت بوده و با توجه به عدد نویز پایین حاصل شده برای کاربرد در سیستم های مخابراتی مناسب می باشد. شبیه سازی ها به کمک نرم افزارهای agilent technology advanced designed systems (ads)و matlab انجام پذیرفته است.

امروزه تجربیات بدست آمده از زمین لرزه های پیشین و نیز مطالعات صورت گرفته در این زمینه تاثیر قابل ملاحظ? عوارض توپوگرافی سطحی و نامنظمی های سطحی زمین را بر مولفه های پاسخ لرزه ای نمایان می سازد. تاثیرات ناشی از ناهمواریهای سطحی در مقایسه با تاثیرات ناشی از لایه بندی زیر سطحی زمین در تقویت و یا کاهش امواج لرزه ای کمتر مورد توجه و ارزیابی قرار گرفته است. علی رغم مشخص شدن اهمیت این مسئله تنها تعداد معدودی از آیین نامه ها و دستورالعمل های طراحی مقاوم در برابر زلزله به صورت جرئی اثرات ساختگاهی ناشی از توپوگرافی را مد نظر قرار داده اند. این مسئله ناشی از عدم وجود دانش کافی درباره نحوه و میزان تاثیر توپوگرافی بر پاسخ لرزه ای است و ضرورت انجام مطالعات در این زمینه را بیان می دارد. هدف اصلی رساله حاضر، بررسی اثرات عوارض توپوگرافی سطح زمین بصورت دره های دوبعدی همگن با رفتار ارتجاعی خطی بر روی بزرگنمایی بیشینه شتاب (pga) و بیشینه سرعت (pgv) زمین و مطالعات حساسیت سنجی تاثیر دره های دوبعدی بر پاسخ لرزه ای سطح زمین می باشد. بدین منظور تحلیل های عددی توسط نرم افزار flac-2d که مبتنی بر روش تفاضل محدود می باشد انجام گرفته و سپس اثر این عوارض سطحی و میزان بزرگنمایی شتاب، برروی قاب های فلزی 8،6 و10 طبقه با سیستم جانبی قاب خمشی با نرم افزار sap ver14.2.0 بررسی شده است. حداکثر پاسخ شتاب دره ها بطور معمول در 1=x/l رخ می دهد و در بیشترین حالت 42% بزرگنمایی نسبت به پاسخ میدان آزاد بدون در نظر گرفتن اثرات توپوگرافی دره را دارد.

با گسترش تکنولوژی الکترونیک، ادوات الکترونیکی ارزان قیمت و پرتابل عرضه شده اند. یک رگولاتور ولتاژ طوری طراحی می شود که علی رغم تغییرات ولتاژ ورودی و تغییرات در جریان بار همواره ولتاژ خروجی ثابتی ایجاد کند. رگولاتور ldo یک رگولاتور ولتاژ خطی است که افت ولتاژ کمی ایجاد می کند. این نوع رگولاتور ها مشخصاتی نظیر نویز کم و ساختار مداری ساده دارند که آن ها را برای استفاده در ادوات پرتابل مناسب می سازند. به دلیل اینکه مدار ldo از مدار های سوئیچینگ استفاده نمی کند بنابراین مزیت اصلی یک رگولاتور ldo عملکرد تقریبا آرام و بی صدای آن است. هدف اصلی این پایان نامه ارائه وطراحی ساختارهایی برای مدار رگولاتور ولتاژ ldo به منظور رسیدن به توان مصرفی کم و به حداقل رساندن تغییرات ولتاژ خروجی است. بر این اساس دو ساختار برای رگولاتور ldo در تکنولوژی ?m cmos 18/0 پیشنهاد، طراحی و شبیه سازی شده است. در هر دو ساختار، از ota به عنوان تقویت کننده خطا استفاده شده است. در مدار ldo طراحی شده اول، از یک ota کلاس ab به منظور کاهش توان مصرفی استفاده شده است. مدار ldo پیشنهادی تغییرات ولتاژ خروجی کوچکی دارد و در نتیجه نسبت ?vo/vo نیز کوچک است. همچنین رگولاتور ldo طراحی شده دارای جریان خاموشی کم و مصرف توان پایین است. در مدار ldo طراحی شده دوم، از یک ota با ساختار recycling folded cascode(rfc) به عنوان تقویت کننده خطا استفاده شده است که دارای هدایت انتقالی زیاد و بنابراین بازدهی توان بالایی است. در ساختار مطرح شده یک خازن جبران ساز به همراه یک مدار بافر نتایج خوبی را برای پایداری و جبران سازی ldo پیشنهادی فراهم می آورند. همچنین افت ولتاژ کم و تغییرات ولتاژ خروجی کوچک نیز تحت شرایط مصرف توان کم برای محدوده وسیعی از تغییرات جریان بار بدست آمده است. بنابراین رگولاتور ldo طراحی شده می تواند در قسمت مدیریت توان کاربردهایی که با باتری تغذیه می شوند، مانند تلفن همراه، پیجر و امثال این ها مورد استفاده واقع شود.

یکی از اجزای سیستم های مخابراتی و رادار که امروزه در فرکانس های بالا کار می کنند سنتی سایزر می باشد. سنتی سایزر فرکانس، یک وسیله الکترونیکی است که می تواند ترکیبی از ضزب کننده های فرکانسی، تقسیم کننده های فرکانسی و ترکیب کننده های فرکانسی باشد و در نهایت سیگنال خروجی با فرکانس مطلوب را تولید کند. سنتی سایزر فرکانس از المان های مختلفی از قبیل ردیاب فاز (pfd)، پمپ بار (cp)، فیلتر پایین گذر (lpf)، اسیلاتور کنترل شده با ولتاژ (vco) و تقسیم کننده فرکانسی تشکیل شده است. با اعمال گیت xor به ورودی pfd طراحی شده به منظور ایجاد تأخیر، ناحیه کور به خوبی کاهش یافته است. همچنین با استفاده از دو معکوس کننده اضافی در خروجی pfd، ناحیه مرده و توان اتلافی بهبود پیدا کرده است. در طراحی مدار cp، اعمال خازن های میلر و op-amp نقش کلیدی در از بین بردن عدم تطبیق جریان های خروجی داشته اند و جریان خروجی ثابتی برابر با 11ma را فراهم می کند. دو vco برای سنتی سایزر با هدف کاهش نویزفاز پیشنهاد شده که یکی با سلف مارپیچی و دیگری با سلف فعال است. در vco با سلف مارپیچی از ساختار کوپل متقاطع برای کاهش نویزفاز و خطای فاز استفاده شده است. همچنین ورکتورهای nmos و خازن های mim بکار رفته در vco ، تأثیر بسزایی بر روی بهبود ضریب کیفیت و نویزفاز دارند و نویزفاز را تا 161dbc/hz- کاهش می دهند. از آن جایی که vco با سلف فعال، مساحت اشغالی و توان اتلافی کمتری در مقایسه با vco با سلف مارپیچی دارد ، با استفاده از ساختار کوپل متقاطع و ورکتور، vco با سلف فعال ارائه شده است. روش فیدبک ترانزیستوری و injection- locking در این ساختار به کاهش نویزفاز و بهبود ضریب کیفیت کمک شایانی کرده است. اگرچه نویزفاز در این ساختار تا 136dbc/hz- بیشتر کاهش نمی یابد اما ضریب کیفیت تا 82 بهبود یافته است. در طراحی تقسیم کننده فرکانسی از ساختار tspc برای غلبه بر اتلاف توان زیاد و پیچیدگی در ساختار استفاده شده است. با کمک تکنیک مقاومتی در ساختار تقسیم کننده دو- سه، glitch به خوبی کاهش یافته است. همچنین برای افزایش نسبت های تقسیم به جای پشت سرهم قرار دادن تقسیم کننده های دو-سه، با کمک میکسر، فیلترمیان گذر و کلیدها، نسبت های تقسیم ارتقاء یافته و توان اتلافی تا 37nw کاهش چشمگیری داشته است. سنتی سایزر با استفاده از نرم افزارهای ads و cadence در تکنولوژی 0.18µm cmos شبیه سازی شده و در مقایسه با سنتی سایزرهای ارائه شده در مقالات سال های اخیر دارای عملکرد خوبی بوده است.

در این پایان نامه یک تقویت کننده ی عملیاتی هدایت انتقالی قابل تنظیم، با توان مصرفی کم و خطسانی بالا برای کاربردهای گیگاهرتز ارائه و شبیه سازی شده است. از روش dtmos برای کاهش ولتاژ آستانه ترانزیستورها، کاهش ولتاژ تغذیه مدار و درنتیجه کاهش توان مصرفی استفاده شده است. با استفاده از این ota یک سلف فعال شناور برای کاربردهای فرکانس گیگاهرتز ارائه شده است. از این سلف فعال در مدار یک میکسر پایین آورنده فوق پهن باند به منظور بهبود در عدد نویز، بهره تبدیل و پهنای باند آن استفاده شده است. از شبیه سازی مونت کارلو برای بررسی تاثیر عدم تطبیق قطعات و تغییرات ساخت برای هدایت انتقالی ota پیشنهادی، و اندوکتانس سلف فعال بر مبنای آن، استفاده شده است. شبیه سازی مدارها، با نرم افزار agilent ads در فناوری 0.18µm cmos انجام شده و طرح ساخت آن در نرم افزار cadence رسم شده است.

در این پایان نامه یکی از کاربردهای آثار غیرخطی در زمین? پلاسمونیک مورد بررسی قرار گرفته است. ساختار پلاسمونیکی مورد استفاده، یک تزویج کننده غیرخطی است که موجبرهای آن از نوع فلز-عایق-فلز است . سوئیچ نوری مبتنی بر اثر غیرخطی گذارهای باند به باند در نیمه رسانای ژرمانیوم در طول موج 1550 نانومترطراحی و شبیه سازی شده است. رابطه ها و معادله های این ساختار با استفاده از تئوری معادله های تزویج شده استنتاج شده است و ضرایب آن برای یک موجبر شکافی بدست آورده شده است. گیت های نوری and، or و not بر اساس سوئیچ زنی در تزویج کنند? نوری غیرخطی ارائه شده پیاده سازی و شبیه سازی شده اند. در انتها به بررسی آثار غیرخطی نیمه رسانا ها و تأثیر آنها بر روی ضریب شکست و ضریب جذب پرداخته شده است. شبیه سازی ساختارهای ارائه شده توسط نرم افزار comsol که مبتنی بر روش المان محدود fem می باشد انجام گرفته است. همین طور از نرم افزار matlab به منظور حل معادله های دیگر مانند معادل? پاشندگی بهره گرفته شده است.

در شبکه های مخابراتی نوری برای کنترل و پردازش اطلاعات می بایست سیگنال نوری به الکتریکی تبدیل شود تا پردازش روی آن انجام شود و سپس به حالت نوری بازگردانده می شود. برای دست یابی به حداکثر ظرفیت فیبرنوری تلاش های زیادی برای توسعه شبکه های تمام نوری انجام شده است. به همین دلیل ساختارهای منطقی تمام نوری زیادی ارائه شده است ولی همه ساختارها از نظر ساخت ، توان مصرفی و سرعت عملکرد یکسان نمی باشند . در این تز انواع ساختارهای تداخلی که بر اساس آن ها عملکردهای تمام نوری را پیاده سازی می کنند مورد بررسی قرار گرفته است و در انتها ساختارهای منطقی تمام نوری بر اساس تداخل ماخ زندر با تقویت کننده نقطه کوانتومی مورد ارزیابی قرار گرفته است و با استفاده از این ساختار یک تفریق کننده ارائه شده است و با استفاده از نرم افزار متلب شبیه سازی انجام شده است . در ساختار ارائه شده بیت های ورودی پالس های گاوسی با نرخ بیت 250 gb/s می باشند. روش طراحی پارامترهای تأثیرگذار بر پاسخ گیت های منطقی نوری ارائه شده است به همین منظور اثر طول قطعه ، شدت پالس ورودی و چگالی جریان در ضریب کیفیت خروجی ، نسبت تفکیک و نمودار چشمی بررسی شده است و مقادیر بهینه 4mm<l<5mm , 7 db< pmax <15 db, 2 ka/ cm^2 < j < 4 ka / cm^2 و t21<1 ps به دست می آید. با انتخاب مقادیر بهینه پارامتر های ورودی می توان به خروجی های عالی با er=15.37 db، am=0.052 ، q=49.13 db، o=97.09% و سرعت های بالاتر از 250 gb/s دست یافت.

در این پایان نامه با استفاده از نتایج شبیه سازی توسط برنامه های wxamps و بهینه کردن نتایج، داده های اولیه جهت ساخت سلول خورشیدی کادمیوم تلوراید فیلم نازک را به دست آمده است. سلول مذکور دارای 4لایه sno2(اتصال جلویی)، zno(لایه بافر)، cds(لایه پنجره ای)، cdte(لایه جاذب) می باشد. ایده به کار گرفته شده در این تحقیق، بهبود بازدهی به کمک اضافه کردن لایه بافر و بهینه کردن ضخامت لایه های مختلف می باشد. لایه بافر بین لایه پنجره ای (لایهcds) و لایه اکسید رسانای شفاف قرار داده شده است. برای ساخت از سامانه لایه نشانی کندوپاش مگنترونmss6-160 استفاده شده است. لایه نشانی توسط rf sputtering و dc sputtering صورت گرفته است.

در این پایان نامه بلوک مبدل dc-dc برای تگ پسیو rfid طراحی شده است. مبدل dc-dc پیشنهادی، دارای نسبت تبدیل ولتاژ بالا و سطح تراشه کوچکی می باشد. مدار پمپ شارژ با گیت کنترل شونده نوعی مبدل dc-dc است که در هر طبقه شامل یک سوئیچ انتقال شارژ nmos می باشد. برای کنترل دینامیکی ورودی سوئیچ انتقال شارژ از دو ترانزیستور nmos و pmos استفاده می شود. در حالت پایدار ترانزیستورهای سوئیچ انتقال شارژ در ناحیه زیرآستانه عمل می کنند. بنابراین افت ولتاژ درین- سورس بسیار کمی دارند که باعث بهبود نسبت تبدیل ولتاژ و بازده مدار پمپ شارژ می شود. برای ایجاد بهینه ترین حالت و داشتن بیشترین نسبت تبدیل ولتاژ از الگوریتم شاگرد-معلم استفاده شده است.

در این پایان نامه یک تنظیم کننده و یک محدودکننده ولتاژ dc برای تگ rfid طراحی شده است. تنظیم کننده ولتاژ پیشنهادی، دارای مصرف توان کم و نوسان خروجی پایین می باشد. بلوک های داخلی تنظیم کننده ولتاژ از خروجی طبقات پایین یکسوساز تغذیه می شوند. مدار opa آن در کلاس ab کار می کند و بایاسینگ آن به صورت وفقی می باشد، مدار مرجع ولتاژ و مدار تقسیم کننده استفاده شده در این طرح، کاملاً ترانزیستوری بوده و توان مصرفی پایینی دارند. برای ایجاد بهینه ترین حالت و داشتن پایین ترین توان مصرفی و ریپل ولتاژ خروجی از الگوریتم شاگرد-معلم استفاده شده است. محدودکننده ولتاژ dc طراحی شده دارای توان مصرفی خیلی پایینی می باشد. در این طراحی از یک مدار bgr با توان مصرفی خیلی کم و غیر حساس به دما و همچنین از مقایسه کننده برای محدود کردن استفاده می شود. برای نزدیک شدن منحنی مشخصه i-v به حالت ایده آل از چهار طبقه وارونگر در خروجی مقایسه کننده استفاده شده است. ساختار bgr و مقایسه کننده استفاده-شده در محدود کننده، به صورت کامل ماسفتی بوده و ترانزیستورهای آنها، هنگامی که محدودکننده غیرفعال است، در ناحیه زیر آستانه کار می کند.

هر سیستم rfid از دو بخش تگ و کدخوان تشکیل شده است. بلوک های مدولاتور و دمدولاتور از بلوک های تشکیل دهنده تگ rfid می باشند. افزایش نرخ داده ارسالی و کاهش توان مصرفی از پارامترهای مورد توجه در طراحی مدار مدولاتور می باشد. در این طراحی از مدولاسیون پس انتشار qpsk استفاده شده است که نرخ ارسال داده در آن دو برابر مدولاسیون فاز psk می باشد و هم چنین از ورکتور برای ایجاد چهار امپدانس خازنی متفاوت استفاده شده است. ورکتور با اتصال درین و سورس ترانزیستور nmos و زمین کردن بدنه طراحی شده است. برای کاهش اثر نویز در مدولاسیون، مقادیرخازن ها باید بیشینه اختلاف نسبت به یکدیگر داشته باشند بنابراین برای به دست آوردن مقادیر بهینه از الگوریتم شاگرد- معلم استفاده شده است .در طراحی مدار دمدولاتور ask با بکار گیری مدار تقسیم کننده ولتاژ و آشکار کننده متوسط، یک سطح ولتاژ آستانه متناسب با دامنه سیگنال rf ورودی به دست آمد که برای تعیین سطح ولتاژ داده دریافتی از کدخوان، به طبقه مقایسه کننده اعمال می شود و منجر به افزایش دقت آشکارسازی داده می شود.

دراین پایان نامه، سه نوع نوسانساز حلقوی تفاضلی با استفاده از سه ساختار متفاوت طبقه تاخیر برای تگ rfid طراحی شده است. از دو راهکار جبران ساز حرارتی برای مستقل کردن فرکانس نوسانسازها از دما استفاده شده است. در راهکار جبران سازی حرارتی اول، تغییرات حرارتی توسط ولتاژ بار و در راهکار جبران سازی حرارتی دوم، تغییرات حرارتی توسط منبع جریان کنترل می شود.

در این پایان نامه یک یکسوساز تمام موج با هدف افزایش راندمان توان و حساسیت بالا برای یک تگ پسیو rfid در فرکانس mhz960 طراحی شده است. در این طراحی از مدار کراس-کوپل استفاده شده و برای حذف اثر ولتاژ آستانه ی ترانزیستورهای عبوری، یک مدار بوت استرپ بکار برده شده است. به منظور افزایش راندمان توان و حداقل کردن اندازه ی تراشه مصرفی، ابعاد ترانزیستورها در فرکانس uhf تنظیم شده است. چون توان دریافتی محدود می باشد، از ساختار چند طبقه ی یکسوساز استفاده شده است که حساسیت بالایی داشته باشد. به منظور بهینه کردن راندمان توان و رسیدن به بالاترین ولتاژ خروجی به ازای ولتاژ ورودی پایین، اندازه عناصر مدار و تعداد طبقات توسط شبکه عصبی و الگوریتم شاگرد-معلم بهینه شده است.

در تگ پسیو، توان موردنیاز برای تغذیه بلوک های موجود بر روی تگ، با استفاده از امواج ارسالی توسط کدخوان تأمین می شود. بنابراین برای افزایش بازه کدخوانی لازم است، بلوک-های موجود بر روی تراشه تگ، توان مصرفی کمی داشته باشند. باوجوداینکه ترکیب حسگر دما با تگ باعث افزایش سطح نظارتی تگ خواهد شد ولی با افزایش سطح و توان مصرفی همراه است. در این پایان نامه دو طراحی حسگر دما با سطح و توان مصرفی کم و خطای پایین برای کاربرد در تگ rfid پیشنهاد می شود. در اولین طراحی، هسته حسگر از mosfet به عنوان عنصر حساس به دما استفاده شده است که برای کاهش مصرف توان، ترانزیستورها در ناحیه زیرآستانه بایاس شده اند. در این حسگر برای تبدیل دما به کد دیجیتالی از مولد تأخیر و شمارنده باینری استفاده می شود. در طراحی شمارنده باینری در قسمت دیجیتالی حسگر از فلیپ فلاپ t بر اساس تکنیک gdi با توان مصرفی و سطح کم استفاده شده است. حسگر دمای پیشنهادی دارای توان مصرفی 140 نانو وات با ولتاژ تغذیه 5/0 ولت است. سطح اشغالی حسگر 003/0 مترمربع می باشد. همچنین در دومین طراحی، هسته حسگر از یک ساختار شبه تفاضلی دارد و از mosfet به عنوان عنصر حساس به دما استفاده کرده است و برای تبدیل دما به کد دیجیتالی از مولد تأخیر و شمارنده باینری استفاده شده است. در طراحی شمارنده باینری از فلیپ فلاپ d بر اساس تکنیک gdi با توان مصرفی پایین استفاده می شود. درنهایت برای مدل سازی و بهبود نتایج شبیه سازی از شبکه عصبی و الگوریتم بهینه سازی شاگرد-معلم استفاده شده است. حسگر دمای پیشنهادی دارای توان مصرفی 110 نانو وات با ولتاژ تغذیه 5/0 ولت است. سطح اشغالی حسگر طراحی شده 0038/0 مترمربع می باشد. شبیه سازی ها با نرم افزار cadence با تکنولوژی 0.18µm cmos tsmc ارائه می شود.

یکی از راهکارهای اصولی جهت بررسی وضعیت دینامیکی شبکه های قدرت در دوره های مختلف بهره برداری، مدلسازی و شبیه سازی آن است. مدلسازی سیستم های قدرت خود از مراحلی تشکیل می شود که مهمترین آن شناسایی پارامترهای مربوط به اجزا و تجهیزات شبکه است. چرا که نرم افزارهای شبیه ساز باید پارامترهای اجزای سیستم قدرت را داشته باشند تا بتوانند رفتار شبکه را شبیه سازی نمایند. هدف این پایان نامه بطور خاص شناسایی پارامترهای الکترومکانیکی ژنراتور سنکرون و تجهیزات کنترلی آن با استفاده از واحدهای اندازه گیر فازوری است. با توجه به نویز و عدم قطعیت در پارامترهای مدل، فرایند شناسایی پارامترهای سیستم را از جهات مختلفی مورد تاثیر قرار می دهند، دو الگوریتم شناسایی معرفی شده اند که با استفاده از آنها می توان تاثیر هر یک از عوامل فوق را بر فرایند شناسایی پارامترهای کاهش داد. ساختار معرفی شده در این رساله، مبتنی بر مدلسازی جعبه خاکستری بوده و فرایند شناسایی نیز بصورت یک مساله بهینه سازی چند بعدی فرمول بندی شده است. بدلیل گسترده بودن فضای جستجو و تعداد زیاد پارامترهای مجهول، سعی شده است با معرفی چند الگوریتم بهینه سازی هوشمند به حل مساله مورد نظر پرداخته شود. جهت بررسی کارایی الگوریتم های معرفی شده، ابتدا با استفاده از آنالیز حساسیت، پارامترهای کلیدی سیستم تعیین و در فرایند شناسایی دخالت داده شده اند. نتایج شبیه سازیها حاکی از آن است که بکمک ساختار معرفی شده، می توان در حضور عواملی همچون نویز و نامعینی در مدل، پارامترهای ژنراتور را با دقت قابل قبولی شناسایی کرد. با توجه به آنکه در فرایند شناسایی پارامترهای یک شبکه با استفاده از واحدهای اندازه گیر فازوری، می بایست فازور ولتاژ، توان اکتیو و توان راکتیو تمامی شین های شبکه قابل اندازه گیری باشند، از اینرو یکی دیگر از موضوعاتی که در این پایان نامه به آن پرداخته شده، تعیین تعداد کافی و محل نصب بهینه این تجهیزات جهت رویت پذیری کامل شبکه است. در این راستا با معرفی یک قانون جدید، تلاش شده است، فرمول بندی بهبود یافته ای در قالب برنامه ریزی خطی صحیح برای مساله جایابی بهینه pmuها ارائه شده و در آن اثر عوامل مختلفی همچون شین های تزریق صفر، پیشامد خروج تک خط و تک pmu نیز لحاظ شده باشد. برای ارزیابی کارایی فرمول بندی پیشنهادی، شبیه سازیهای متعددی متعددی بر روی شبکه های استاندارد ieee ارائه شده است. یکی دیگر از مواردی که در این پایان نامه مورد مطالعه قرار گرفته، مساله تاثیر محدودیت تعداد کانالهای اندازه گیری بر جایابی بهینه pmuها است. نتیجه مطالعات حاکی از آن است که با افزایش تعداد کانالهای اندازه گیری، تعداد pmuهای لازم جهت رویت پذیری کامل شبکه کاهش خواهد یافت ولی برای هر شبکه ای (بسته به ساختار و توپولوژی آن)، همواره یک حد بالایی برای کانالهای اندازه گیری وجود دارد که اگر تعداد کانالها از آن حد بیشتر شود، نه تنها تعداد pmuها کاهش نخواهد یافت بلکه منجر به افزایش هزینه نیز خواهد شد.

در این رساله، بلوک های مختلف بخش آنالوگ یک تگ غیرفعال rfid با هدف کمینه کردن توان مصرفی، طراحی و شبیه سازی شده است. در طراحی بلوک یکسوساز از ساختار اتصال متقاطع و مدار بوت استرپ برای حذف اثر ولتاژ آستانه استفاده شده است. یکسوساز به ازای دامنه ولتاژ rf ورودی v64/0، دارای بازده تبدیل توانی برابر با %31 می باشد. در ساختار محدودکننده ولتاژ از bgr، مقایسه کننده و وارونگرهایی که بر اساس ترانزیستورهایpass-gate کار می کنند، استفاده شده است. توان مصرفی و سطح چینش محدودکننده پیشنهادی به ترتیب nw325/47 و ?m244×44 می باشد. در تنظیم کننده ولتاژ برای کاهش توان مصرفی از دو سطح ولتاژ استفاده شده است و در ساختار آن مدارهای opa، bgr و مقسم ولتاژ، با سطح ولتاژ کمتر تغذیه می شوند. توان مصرفی و سطح چینش تنظیم کننده پیشنهادی به ترتیب ?w91 و ?m235×43 محاسبه شده اند. در طراحی مبدل dc-dc از سلول وارونگر برای کنترل گیت ترانزیستور گذر استفاده شده است و توان مصرفی و سطح چینش آن به ترتیب ?w49 و ?m2120×170 می باشد. مدار por طراحی شده دارای قابلیت آشکارسازی brown-in و brown-out بوده و سطح چینش و توان مصرفی آن به ترتیب ?m240×40 و ?w8/1 می باشد. در طراحی نوسان ساز از ساختار حلقوی تفاضلی استفاده شده و با بکارگیری روش های جبران سازی حرارتی، ضریب دمایی آن کاهش داده شده است. سطح چینش و توان مصرفی این بلوک به ترتیب برابر با ?m245×66 و ?w636/6 می باشد. در مدولاتور پس انتشار qpsk، یک ورکتور برای ایجاد 4 امپدانس مختلف تحت 4 ولتاژ متفاوت بکار گرفته شده است. توان مصرفی و سطح چینش مدولاتور پیشنهادی به ترتیب ?w23/4 و ?m270×52 می باشد. در مدار دمدولاتور ask پیشنهادی سطح آستانه مقایسه در نظر گرفته شده، وابسته به سطح دامنه rf ورودی بوده و توان مصرفی و سطح چینش آن به ترتیب nw88/169 و ?m260×62 می باشد. مدار حسگر به صورت کاملا ماسفتی طراحی شده و در ساختار شمارنده آن از t-ff با روش gdi استفاده شده است. توان مصرفی و سطح چینش حسگر پیشنهادی به ترتیب nw112 و ?m2128×98 محاسبه شده است.

در این رساله ساختارهای نوری مختلف با استفاده از تقویت کننده های نوری نیمه هادی و کاواک های نوری برای رزروایر پیشنهاد شده است و عملکرد این ساختارها با استفاده از دو مسئله بازشناسی سری زمانی و بازشناسی سیگنال گفتار نویزی مورد ارزیابی قرار می گیرد. در این تحقیق در طراحی رزروایر تقویت کننده نوری نیمه هادی از ساختار آبشار با فیدبک های داخلی استفاده می شود. فیدبک های داخلی به سیستم حافظه می دهند و دقت بازشناسی سری زمانی را در مقایسه با رزروایر کلاسیک و تحقیقات قبل بهبود می دهند. همچنین یک روش تحلیلی برای حل معادلات ریت تقویت کننده نوری پیشنهاد می شود که در کنار بهبود دقت بازشناسی سیگنال زمان شبیه سازی را بسیار کاهش می دهد. در ادامه رزروایر نوری با استفاده از کاواک های نوری طراحی می گردد. نتایج بدست آمده در شبیه سازیها نشان می دهند که رزروایر کاواک کریستال فوتونی سری زمانی بدون نویز را با دقت 100% بازشناسی می کند. همچنین درصد خطای بازشناسی سری زمانی نویزی با نسبت سیگنال به نویز db 20، 98% بدست می آید که 3% بهبود نسبت به تحقیقات قبل را نشان می دهد. در بازشناسی گفتار نیز دقت بازشناسی برای نسبتهای مختلف سیگنال به نویز، بین 100% برای سیگنال بدون نویز و 4/92% تا 3/98% در نسبت های سیگنال به نویز db 0 تا db 10 بدست می آید.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

در این رساله توانستیم با حل معادلات حاکم بر توری های براگ به روش سری فوریه و با استفاده از تکرار گوس سایدل انتشار پالس را بطور کامل و همراه تمام آثار غیر خطی را بررسی کنیم. تا بحال این معادلات حل نشده بود و فقط بعضی جواب های سالیتونی آن با فرضیات ساده سازی ارائه شده بود. از جمله نکات موجود در این معادلات اینست که را نمی توانستیم فقط از روش سری فوریه برای حل این معادلات استفاده کرد زیرا این روش برای حل معادلات با شرایط اولیه مفید بوده در صورتی که معادلات ما از نوع شرایط مرزی استطی حل این معادلات نشان دادیم که توری های براگ دارای پاشیدگی خیلی زیادی بوده و پالسی که در فیبر معمولی در طول 50 کیلومتر پهن می شود در این وسیله ها با طول چند میلیمتر به همان اندازه پهن می شود. همچنین نشان دادیم که وجود پاشیدگی مرتبه اول باعث جابجایی زمانی در قله پالس ورودی شده و با توجه به به علامت آن به سمت چپ و راست شیفت می یابد. در نهایت نشان دادیم که در دامنه های کم اثرات غیرخطی قابل چشم پوشی بوده و تاثیری در حالت فیلتری توری ها ندارد ولی با افزایش دامنه سالیتون ورودی دیده می شود که فرکانس براگ به علت اثر کر جابجا شده و فرکانس مرکزی پالس دیگر در باند ممنوعه قرار نمی گیرد و در نهایت پالس از فیبر عبور کرده و اثر کلیدزنی در توری های براگ ایجاد می شود که این اثر نیز با افزایش دامنه افزایش می یابد.

چکیده ندارد.