آنالیز تنش های مگنتو ترموالاستیک وبردار اغتشاش میدان مغناطیسی در یک مخزن هوشمند جدار ضخیم استوانه ای تقویت شده توسط نانو لوله های کربنی درجه بندی شده تابعی تحت فشار داخلی و خارجی واقع در یک میدان حرارتی یکنواخت

در این تحقیق، آنالیز تنش- کرنش و بردار اغتشاش میدان مغناطیسی در یک مخزن پلی استایرن جدار ضخیم استوانه ای تقویت شده با نانولوله ی کربنی تک جداره درجه بندی شده در جهت شعاع، تحت فشار داخلی و میدان حرارتی یکنواخت واقع در یک میدان مغناطیسی یکنواخت در جهت محور آن، انجام شده است. نانولوله بصورت مستقیم و منظم بوده و درصد حجمی آن از سطح داخل به خارج می تواند بصورت چیدمان یکنواخت، کاهشی یا افزایشی تغییر کند. جهت کسب رابطه تنش-کرنش برای نانوکامپوزیت از روش موری تاناکا استفاده شده است. با بکارگیری معادلات حرکت، تنش-کرنش و سازگاری برای سیلندر، یک معادله دیفرانسیل مرتبه دوم بر حسب جابجایی بدست آمده است. با حل آن و با توجه به شرایط مرزی، توزیع تنش های شعاعی، محیطی و محوری بر حسب شعاع بدست آمده اند. نتایج نشان می دهد، برای یک مخزن استوانه ای نانوکامپوزیتی تحت فشار داخلی, چیدمان مختلف نانولوله تاثیری در مقادیر تنش شعاعی ندارد ولی مقادیر تنش های محیطی در چیدمان افزایشی نسبت به حالت ایزوتروپیک، کمتر می باشند. اگر دمای سطح داخل و خارج مخزن ثابت باشد, تنش های شعاعی و محیطی با چیدمان افزایشی نسبت به حالت ایزوتروپیک کمتر خواهند بود. اگر مخزن تحت فشار داخلی، درجه حرارت یکنواخت و میدان مغناطیسی یکنواخت باشد، رفتار تنش مشابه با بارگذاری حرارتی دما ثابت خواهد بود. همچنین مقادیر بردار اغتشاش میدان مغناطیسی در هر نوع چیدمان کمتر از حالت ایزوتروپیک می باشند. اگر مخزن تحت فشار داخلی، درجه حرارت گذرا و میدان مغناطیسی یکنواخت باشد، بیشترین مقادیر تنش شعاعی در چیدمان افزایشی و برای تنش محیطی در چیدمان کاهشی خواهد بود . همچنین چیدمان مختلف تاثیری در مقادیر بردار اغتشاش میدان مغناطیسی نسبت به حالت ایزوتروپیک ندارد.