بررسی حرکت حاملین بار در نانولوله های کربنی زیگزاگ در ترانزیستور های اثر میدانی

در کار حاضر، تلاش کردیم ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی را مطالعه کنیم که این مهم با مطالعه ی رفتار حامل ها در نانولوله زیگزاگ (به عنوان مجرای ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی) صورت گرفته است. هدف اصلی، محاسبه ی جریان حامل ها در نانولوله ی کربنی زیگزاگ بوده تا دریابیم که آیا این نوع نانولوله های کربنی می تواند به عنوان یک مجرای مناسب در تولید ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی آتی به کار روند یا خیر. در این راستا ابتدا سطوح انرژی گرافیت و نانولوله های کربنی مورد بررسی قرار گرفته است. سپس به حاسبه شاخه های فونونی گرافیت و نانولوله های کربنی پرداخته شده است. در ادامه با قرار دادن نانولوله کربنی زیگزاگ در یک ترانزیستور اثر میدانی به عنوان مجرا(کانال) نرخ پراکندگی کل و تابع توزیع ناترازمند را برای این حالت به دست آورده ایم. با استفاده از تابع توزیع ناترازمند، جریان های تعادلی برای الکترون ها و حفره ها را در نانولوله ی مزبور به دست آورده ایم و در نهایت مقاومت های نانولوله های کربنی زیگزاگ را در برابر جریان الکترون ها و حفره ها محاسبه نموده ایم. آمده بر اساس پدیده ی پراکندگی و تابع توزیع حامل ها، دلالت بر این دارند که نوع زیگزاگ این قابلیت را دارد.