طراحی مرجع ولتاژ زیر یک ولت قابل کاشت در بدن با دقت ppm/میکرومتر15 با استفاده از ترانزیستورهای ذاتی(Native)
Authors
Abstract:
Voltage references are crucial part of every circuit, providing a fixed voltage regardless of environmental parameters and device loading. Among several approaches proposed for designing voltage references, bandgap voltage references are the most common, but the bandgap voltage reference is bipolar in nature and does not show good stability when the supply voltage is small. Thus according to the increasing need for voltage references with low power consumption and low power supply, a voltage reference using threshold voltage difference between a native and a typical MOSFET transistor is proposed in this work. Using simulation for 0.18 CMOS technology, temperature coefficient and line sensitivity was measured 15ppm/°Cand0.98%/V respectively. The simulation is done to find the Sensitivity of output voltage to temperature and supply voltage in different biases. Minimum voltage supply for this work is 0.7 v and power consumption at room temperature is 700 nanowatt that make this voltage reference suitable for low power, low voltage circuits, for example nanowatt medical applications. At the end to minimize process variations a digital trimming after process is proposed, where transistors are turned on by controlling signals to have different length and width after fabrication process and different output voltages is simulated by having control switches on or off.
similar resources
اثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین
Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...
full textاثر بربرین در تنظیم آستروسیتهای Gfap+ ناحیه هیپوکمپ موشهای صحرایی دیابتی شده با استرپتوزوتوسین
Background: Diabetes mellitus increases the risk of central nervous system (CNS) disorders such as stroke, seizures, dementia, and cognitive impairment. Berberine, a natural isoquinolne alkaloid, is reported to exhibit beneficial effect in various neurodegenerative and neuropsychiatric disorders. Moreover astrocytes are proving critical for normal CNS function, and alterations in their activity...
full textطراحی و شبیه سازی مدار مرجع ولتاژ زیر یک ولت با توان پایین
در این پایان نامه یک مدار مرجع ولتاژ پایین با توان پایین ارایه گردیده است. در مدار مرجع پیشنهادی تمامی ترانزیستورهای mos در ناحیه زیرآستانه بایاس گردیده اند. در ساختار مدار برای کاهش حجم اشغالی بر روی ویفر و همچنین کاهش توان تلفاتی، از مقاومت استفاده نشده است، برای سازگاری بیشتر با تکنولوژی cmos و جلوگیری از پیچیدگی مراحل ساخت، در مدار فقط از ترانزیستور mos استفاده گردیده است. این مدار شامل سه ...
یک فشرده ساز 4:2 مافوق ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET
یک فشرده ساز، بلوک سازنده بسیاری از مدارات محاسباتی میباشد. طراحی یک فشرده ساز که مساحت کوچکتر، توان مصرفی کم و سرعت بالا دارد همواره مورد تقاضا میباشد. از آنجاییکه طول کانال به سمت مقیاس نانو میل میکند استفاده از MOSFET به عنوان افزاره پایه در فشردهساز اکنون به محدودیت های عملکردی خود از قبیل اتلاف توان میانگین و سرعت نائل میشود. در این مقاله، یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی با استفاده از ...
full textیک فشرده ساز 4:2 مافوق ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET
یک فشرده ساز، بلوک سازنده بسیاری از مدارات محاسباتی میباشد. طراحی یک فشرده ساز که مساحت کوچکتر، توان مصرفی کم و سرعت بالا دارد همواره مورد تقاضا میباشد. از آنجاییکه طول کانال به سمت مقیاس نانو میل میکند استفاده از MOSFET به عنوان افزاره پایه در فشردهساز اکنون به محدودیت های عملکردی خود از قبیل اتلاف توان میانگین و سرعت نائل میشود. در این مقاله، یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی با استفاده از ...
full textیک مفهوم جدید در طراحی مدارات RF با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق
امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو میباشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر میباشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار میگیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...
full textMy Resources
Journal title
volume 14 issue 2
pages 107- 113
publication date 2017-09
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
No Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023