شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT
Authors
Abstract:
در این مقاله، به ارائه یک ضربکننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی میپردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا طراحیشده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار میکنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضربکننده، با استفاده از فناوری CNTFET ،32 نانو متر طراحی میشود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضربکننده ارائهشده در شبیهساز HSPICE شبیهسازی شده است. نتایج حاصل از شبیهسازی نشان می دهد که مدار قابلیت عملکرد مطلوب را تا فرکانس 2 گیگا هرتز ، مصرف توان ماکزیمم 3.7464µw و همچنین دارای THD 0.226043% می باشد.
similar resources
مقایسه تأثیر وضعیت طاق باز و دمر بر وضعیت تنفسی نوزادان نارس مبتلا به سندرم دیسترس تنفسی حاد تحت درمان با پروتکل Insure
کچ ی هد پ ی ش مز ی هن ه و فد : ساسا د مردنس رد نامرد ي سفنت سرتس ي ظنت نادازون داح ي سکا لدابت م ي و نژ د ي سکا ي د هدوب نبرک تسا طسوت هک کبس اـه ي ناـمرد ي فلتخم ي هلمجزا لکتورپ INSURE ماجنا م ي دوش ا اذل . ي هعلاطم ن فدهاب اقم ي هس عضو ي ت اه ي ندب ي عضو رب رمد و زاب قاط ي سفنت ت ي هـب لاتـبم سراـن نادازون ردنس د م ي سفنت سرتس ي لکتورپ اب نامرد تحت داح INSURE ماجنا درگ ...
full textطراحی و شبیهسازی یک تمام جمعکننده جدید در تکنولوژی نانو لولهی کربنی با عملکرد بهینه
مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیادهسازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخشهای اصلی پردازندههای دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته میشود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمعکنندهی جدیدی با بهرهگیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولولهی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...
full textطراحی و شبیهسازی یک تمام جمعکننده جدید در تکنولوژی نانو لولهی کربنی با عملکرد بهینه
مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیادهسازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخشهای اصلی پردازندههای دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته میشود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمعکنندهی جدیدی با بهرهگیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولولهی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...
full textبررسی پارامترهای موثر بر کارایی دیوار ترومب با استفاده از شبیه سازی دینامیک سیالات محاسباتی
دیوار ترومب یا دیوار خورشیدی به عنوان یکی از روش های غیرفعال در گرمایش خورشیدی دسته بندی می شود. در این مقاله جریان هوای داخل محفظه دیوار ترومب توسط روش حجم محدود که از جمله روش های مرسوم دینامیک سیالات محاسباتی است، شبیه سازی شده است. در شبیه سازی ها از نرم افزار تجاری ansys fluent استفاده شده است. در ابتدا یک مدل مرجع معرفی شده و نتایج آن ارائه شده است سپس با استفاده از این مدل مرجع، پارامتر...
full textMy Resources
Journal title
volume 10 issue 38
pages -
publication date 2020-12-21
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023