شبیه‌سازی گاز دوبعدی در ALGaN / GaN HEMT و بررسی ولتاژ شکست آن

author

رحیم فائز دانشکده‌ی مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شریف

Abstract:

از چند ساختاره A‌l‌G‌a‌N/G‌a‌N در ادوات قدرت استفاده می‌شود بنابراین داشتن چگالی جریان و ولتاژ شکست بسیار مهم است. در قسمت اول این نوشتار، اثر پارامترهای مختلف بر چگالی گاز دوبعدی الکترون بررسی شده و بهترین حالت‌ها مشخص شده‌اند. همچنین نشان داده شده است که در بعضی حالات حفره‌ها در سطح فوقانی A‌l‌G‌a‌N جمع می‌شوند، امّا به‌علت وجود ترازهای تله در هیچ آزمایشی مشاهده نشده‌اند. در بخش بعدی اثر وجود تله‌ها بر چگالی گاز دوبعدی مورد بحث قرار گرفته است. در انتها درباره‌ی روش‌های زیادکردن ولتاژ شکست بحث شده و با شبیه‌سازی برای یک حالت نحوه‌ی زیادشدن ولتاژ شکست نشان داده شده است.

Upgrade to premium to download articles

Already have an account?login

similar resources

شبیه&zwnj;سازی گاز دوبعدی در algan / gan hemt و بررسی ولتاژ شکست آن

full text

Hydrogen sensors based on AlGaN/AlN/GaN HEMT

Pt/AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors (HEMT) were fabricated and characterized for hydrogen sensing. Pt and Ti/Al/Ni/Au metals were evaporated to form the Schottky contact and the ohmic contact, respectively. The sensors can be operated in either the field effect transistor (FET) mode or the Schottky diode mode. Current changes and time dependence of the sensors under the FET and ...

full text

LARGE SIGNAL EQUIVALENT CIRCUIT MODEL FOR PACKAGE ALGaN/GaN HEMT

In this paper, a large signal equivalent circuit empirical model based on Anglov model for ceramic package high power AlGaN/GaN HEMT has been proposed. A temperature-dependent drain current model, including self-heating effect, has been presented, and good agreements are achieved between measurement results and calculated results at different temperatures. The nonlinear capacitance models are m...

full text

Analysis of Algan/gan Based Hemt Device for Mmic Design

In this paper AlGaN/GaN heterostructure device analysis carried out which are capable for high power and frequency with performances far superior to those offered by the mainstream silicon technology and other advanced semiconductor technologies. AlGaN/GaN HEMT primarily driven by microwave wireless communication applications need. The last few years have witnessed major effort in the developme...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}

Journal title

مهندسی صنایع و مدیریت

volume دوره 23 issue 38 - ویژه مهندسی برق و کامپیوتر

pages 3- 9

publication date 2007-06-22

unfollow

{@ msg @}

By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.

Keywords

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com