توصیف توپولوژیکی گذار نیمفلزی بلور MnAs
Authors
Abstract:
Topological analysis of the electronic charge density is introduced as a new tool for studying the electronic properties of the materials. In this method, the eigen values of the Hessian matrix of the electronic charge density as an scalar field are used to estimate the strength of the atomic bonds. We employ this method to study the half-metallic phase transition of MnAs in zinc blende structure. The results show that the topology of the electron density is preserved in this phase transition. So the total magnetization as the order parameter of the system changes continually and the phase transition is regarded as a second order transition. The geometrical changes observed in the electron density are interpreted by investigating the electronic structure.
similar resources
توصیف توپولوژیکی گذار نیم فلزی بلور mnas
تحلیل توپولوژی چگالی بار الکترونی به عنوان ابزار جدیدی برای مطالعه خواص الکترونی مواد معرفی می گردد. در این روش ویژه مقادیر ماتریس هسین چگالی بار الکترونی به عنوان یک میدان اسکالر سه بعدی برای ارزیابی قدرت پیوند اتم ها مورد استفاده قرار می گیرد. در این مقاله از این روش برای مطالعه گذار فلز – نیم فلز در بلور mnas در فاز بلند روی استفاده شده است. نتایج نشان می دهد که توپولوژی چگالی بار در این گذا...
full textمحاسبه خواص فونونی، مکانیکی و گرمایی بلور و نانوسیم mnas
در این پروژه، خواص ساختاری و الکترونی بلور ?-mnas را مورد بررسی قرار دادیم. ?-mnas دارای فاز ساختاری هگزاگونال از نوع nias با نظم اسپینی فرومغناطیس است. بلور ?-mnas یک سیستم فلزی است از این رو در نمودار چگالی حالات الکترونی و همچنین ساختار نواری آن، گاف انرژی مشاهده نشد. در نمودار چگالی حالات کل بلور mnas ، به طور تقریبی شکافتگی اسپینی حدود 4ev وجود داشت و در نمودار چگالی حالت های جزیی این سیست...
15 صفحه اولMnAs Nanocrystals Embedded in GaAs
In the last years a lot of effort has been devoted to a search for hybrid ferromagnet–semiconductor structures in aim of novel information storage and spin electronics applications. Nanocomposites with ferromagnetic above room temperature MnAs nanoclusters, embedded in GaAs matrix (MnAs/GaAs), are promising candidates for this type of material (e.g. [1–3]). Recently, it has been reported that t...
full textTwo-Carrier Transport in Epitaxially Grown MnAs
Magneto-transport measurements of ferromagnetic MnAs epilayers grown by molecular beam epitaxy reveal the presence of both positive and negative charge carriers. Electrical transport at high temperatures is dominated by holes, and at low temperatures by electrons. We also observe distinct changes in the magnetoresistance associated with the transition between the electronand hole-dominated tran...
full textارائه چارچوب توصیف گذار حوزههای فنّاورانه بر اساس رویکرد تحلیل چندسطحی: (مطالعه موردی: گذار انرژیهای بادی و خورشیدی در ایران)
با افزایش نیاز جوامع امروزی بهویژه جوامع درحالتوسعه نظیر ایران به حاملهای انرژی و با توجه به پایانپذیری سوختهای فسیلی و همچنین تأثیرات زیستمحیطی این نوع سوختها، ضرورت کشف و استفاده از منابع انرژی جدید بیشازپیش اهمیت یافته است. انرژیهای نو و تجدیدپذیر بهعنوان منابع انرژی تمامنشدنی، رایگان، دوستدار محیطزیست و قابلدسترس در اغلب نقاط، میتوانند مکمل مناسبی برای سوختهای فسیلی باشند. در...
full textMaterial terms: MnAs, GaAs, As Tu0920 Electronic signature of MnAs phases in bare and buried films grown on GaAs(001)
Electronic signature of MnAs phases in bare and buried films grown on GaAs(001) M. Moreno Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (CSIC), Cantoblanco, 28049 Madrid, Spain A. Kumar, M. Tallarida, Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellshaft, Faradayweg 4-6, 14195 Berlin, Germany A. Ney, K. H. Ploog Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany K...
full textMy Resources
Journal title
volume 11 issue 2
pages 219- 226
publication date 2011-09
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
No Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023