بررسی اثر دمای سینتر بر ریزساختار و فاکتور کیفیت سرامیکهای دی الکتریک مایکروویو با ترکیب 0.88Ba([Zn0.6Co0.4]1/3,Nb2/3)O3–0.1Ba(Ga1/2Ta1/2)O3–0.02BaZrO3

سرامیکهای دی الکتریک مایکروویو در دستگاه ها و سیستم�های مورد استفاده در فرکانسهای مایکروویو برای مثال تلفن های همراه و سیستمهای مخابرات ماهواره ای بکار میروند. ترکیب 0.88Ba([Zn0.6Co0.4]1/3,Nb2/3)O3?0.1Ba(Ga1/2Ta1/2)O3?0.02BaZrO3 (BZCN-BGT-BZ) از طریق روش معمول ساخت سرامیکها یعنی آسیاب مخلوط پودرهای اولیه ، کلسینه کردن مخلوط، آسیاب مجدد و سینتر قرص های پرس شده در دماهای مختلف تهیه شدند تا بتوان تأثیر دمای سینتر بر روی ریز ساختار و خواص دی الکتریکی را بررسی نمود. نتایج نشان داد که افزایش دمای سینتر باعث افزایش دانسیته میگردد و در�C 1500 بالاترین دانسیته مشاهده شد. فاکتور کیفیت (Q�f) نیز با بالا رفتن دمای سینتر افزایش پیدا کرد و در �C 1500 بالاترین مقدار فاکتور کیفیت (Q�f)، GHz16،000 مشاهده شد. افزایش در Q�f در اثر افزایش دمای سینتر ارتباط با افزایش دانسیته دارد. این افزایش را نمی توان به ارتقاء نظم در شبکه یا حضور سوپر ساختار در شبکه نسبت داد زیرا که پیک سوپر ساختار در الگوی پراش اشعه X مشاهده نشد. علاوه بر این احتمال وجود سوپر ساختار توسط بررسی اعوجاج در شبکه و بررسی تغییرات نسبت c/a (پارامترهای شبکه هگزاگونال سوپرساختار)، منتفی شد.