Electrothermal Model of SiC Power Schottky Diodes

The paper concerns the problem of modelling d.c. characteristics of commercial SiC power Schottky diodes with self-heating taken into account. The electrothermal model of the investigated devices is proposed and experimentally verified. The evaluation of accuracy of the elaborated model has been performed by comparison of measured and calculated characteristics of selected SiC power Schottky diodes. Streszczenie. Praca dotyczy problemu modelowania, z uwzględnieniem zjawiska samonagrzewania, prądowo-napięciowych charakterystyk komercyjnie dostępnych diod Schottky’ego mocy wykonanych z węglika krzemu. Zaproponowano i eksperymentalnie zweryfikowano elektrotermiczny model rozważanych w pracy elementów półprzewodnikowych. Ocenę dokładności modelu przeprowadzono poprzez porównanie charakterystyk obliczonych w programie SPICE z charakterystykami zmierzonymi wybranych diod Schottky’ego z węglika krzemu. (Model elektrotermiczny diod Schottky’ego mocy wykonanych z węglika krzemu) Słowa kluczowe: dioda Schottky’ego, węglik krzemu, modelowanie, samonagrzewanie.