Thermoelectric effect of a skyrmion crystal confined in a magnetic disk
نویسندگان
چکیده
We theoretically propose that an electric voltage can be generated by thermal gradient with a rotating skyrmion crystal confined in magnetic disk. find the rotation of induced diffusive magnon currents presence temperature gives rise to spinmotive forces radial direction through coupling conduction-electron spins. The amplitude force is larger for at lower temperature. proposed phenomenon exploited as spintronics-based thermoelectric devices realize conversion heat electricity.
منابع مشابه
Large anomalous Nernst effect in a skyrmion crystal
Thermoelectric properties of a model skyrmion crystal were theoretically investigated, and it was found that its large anomalous Hall conductivity, corresponding to large Chern numbers induced by its peculiar spin structure leads to a large transverse thermoelectric voltage through the anomalous Nernst effect. This implies the possibility of finding good thermoelectric materials among skyrmion ...
متن کاملeffect of sub-grid scales on large eddy simulation of particle deposition in a turbulent channel flow
چکیده ندارد.
15 صفحه اولa swot analysis of the english program of a bilingual school in iran
با توجه به جایگاه زبان انگلیسی به عنوان زبانی بین المللی و با در نظر گرفتن این واقعیت که دولت ها و مسئولان آموزش و پرورش در سراسر جهان در حال حاضر احساس نیاز به ایجاد موقعیتی برای کودکان جهت یاد گیری زبان انگلیسی درسنین پایین در مدارس دو زبانه می کنند، تحقیق حاضر با استفاده از مدل swot (قوت ها، ضعف ها، فرصتها و تهدیدها) سعی در ارزیابی مدرسه ای دو زبانه در ایران را دارد. جهت انجام این تحقیق در م...
15 صفحه اولMagnetic skyrmion transistor: skyrmion motion in a voltage-gated nanotrack
Magnetic skyrmions are localized and topologically protected spin configurations, which are of both fundamental and applied interests for future electronics. In this work, we propose a voltage-gated skyrmion transistor within the well-established framework of micromagnetics. Its operating conditions and processes have been theoretically investigated and demonstrated, in which the gate voltage c...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Physical review
سال: 2023
ISSN: ['0556-2813', '1538-4497', '1089-490X']
DOI: https://doi.org/10.1103/physrevb.107.l100408