منابع مشابه
the underlying structure of language proficiency and the proficiency level
هدف از انجام این تخقیق بررسی رابطه احتمالی بین سطح مهارت زبان خارجی (foreign language proficiency) و ساختار مهارت زبان خارجی بود. تعداد 314 زبان آموز مونث و مذکر که عمدتا دانشجویان رشته های زبان انگلیسی در سطوح کارشناسی و کارشناسی ارشد بودند در این تحقیق شرکت کردند. از لحاظ سطح مهارت زبان خارجی شرکت کنندگان بسیار با هم متفاوت بودند، (75 نفر سطح پیشرفته، 113 نفر سطح متوسط، 126 سطح مقدماتی). کلا ...
15 صفحه اولBand-to-band transitions, selection rules, effective mass, and excitonic contributions in monoclinic β-Ga2O3
Alyssa Mock,1,* Rafał Korlacki,1 Chad Briley,1 Vanya Darakchieva,2 Bo Monemar,2,3 Yoshinao Kumagai,4,3 Ken Goto,4,5 Masataka Higashiwaki,6 and Mathias Schubert1,2,7 1Department of Electrical and Computer Engineering and Center for Nanohybrid Functional Materials, University of Nebraska-Lincoln, Lincoln, Nebraska 68588, USA 2Department of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linköping Universi...
متن کاملthe structure of lie derivations on c*-algebras
نشان می دهیم که هر اشتقاق لی روی یک c^*-جبر به شکل استاندارد است، یعنی می تواند به طور یکتا به مجموع یک اشتقاق لی و یک اثر مرکز مقدار تجزیه شود. کلمات کلیدی: اشتقاق، اشتقاق لی، c^*-جبر.
15 صفحه اولthe effects of changing roughness on the flow structure in the bends
flow in natural river bends is a complex and turbulent phenomenon which affects the scour and sedimentations and causes an irregular bed topography on the bed. for the reason, the flow hydralics and the parameters which affect the flow to be studied and understand. in this study the effect of bed and wall roughness using the software fluent discussed in a sharp 90-degree flume bend with 40.3cm ...
Valence band offset of β-Ga2O3/wurtzite GaN heterostructure measured by X-ray photoelectron spectroscopy
A sample of the β-Ga2O3/wurtzite GaN heterostructure has been grown by dry thermal oxidation of GaN on a sapphire substrate. X-ray diffraction measurements show that the β-Ga2O3 layer was formed epitaxially on GaN. The valence band offset of the β-Ga2O3/wurtzite GaN heterostructure is measured by X-ray photoelectron spectroscopy. It is demonstrated that the valence band of the β-Ga2O3/GaN struc...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of Physics: Conference Series
سال: 2011
ISSN: 1742-6596
DOI: 10.1088/1742-6596/286/1/012027