STM study on the self-assembly of oligothiophene-based organic semiconductors
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
STM study on the self-assembly of oligothiophene-based organic semiconductors
The self-assembly properties of a series of functionalized regioregular oligo(3-alkylthiophenes) were investigated by using scanning tunneling microscopy (STM) at the liquid-solid interface under ambient conditions. The characteristics of the 2-D crystals formed on the (0001) plane of highly ordered pyrolitic graphite (HOPG) strongly depend on the length of the π-conjugated oligomer backbone, o...
متن کاملVarious approaches to control solid/solid wetting self-assembly of organic semiconductors with STM
Organic solid/solid wetting deposition (OSWD) is an easy, low cost method to prepare epitaxial monolayers of organic semiconductors under ambient conditions. This chapter describes various approaches to induce complexity into highly ordered monolayers with Scanning Tunnelling Microscopy (STM): nanomanipulated self-assembly aiming towards molecular data storage, locally guided selfassembly to ac...
متن کاملstudy of hash functions based on chaotic maps
توابع درهم نقش بسیار مهم در سیستم های رمزنگاری و پروتکل های امنیتی دارند. در سیستم های رمزنگاری برای دستیابی به احراز درستی و اصالت داده دو روش مورد استفاده قرار می گیرند که عبارتند از توابع رمزنگاری کلیددار و توابع درهم ساز. توابع درهم ساز، توابعی هستند که هر متن با طول دلخواه را به دنباله ای با طول ثابت تبدیل می کنند. از جمله پرکاربردترین و معروف ترین توابع درهم می توان توابع درهم ساز md4, md...
Halogen bonds in 2D supramolecular self-assembly of organic semiconductors.
Weak interactions between bromine, sulphur, and hydrogen are shown to stabilize 2D supramolecular monolayers at the liquid-solid interface. Three different thiophene-based semiconducting organic molecules assemble into close-packed ultrathin ordered layers. A combination of scanning tunneling microscopy (STM) and density functional theory (DFT) elucidates the interactions within the monolayer. ...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Beilstein Journal of Nanotechnology
سال: 2011
ISSN: 2190-4286
DOI: 10.3762/bjnano.2.88