Optical characterization of AlN/GaN heterostructures
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Optical characterization of AlNÕGaN heterostructures
AlN/GaN/sapphire heterostructures with AlN gate film thickness of 3–35 nm are characterized using photoreflectivity ~PR! and photoluminescence ~PL! spectroscopy. Under a critical AlN film thickness, the luminescence from the GaN channel layer near the interface proves to be excitonic. No luminescence related to the recombination of the two-dimensional electron gas ~2DEG! is observed, in spite o...
متن کاملstudy and characterization of fiber optical gyroscope مطالعه و مشخصه یابی ژیروسکوپ فیبر نوری(تار نوری)
ژیروسکوپ فیبر نوری fog بر اساس پدیده تداخل ساگنام دو پرتو لیزری از یک فیبر نوری بسیار طولانی داده های لازم را فراهم می آورد
15 صفحه اولOptical Characterization of Ferromagnetic and Multiferroic Thin-Film Heterostructures
This thesis presents optical characterization of the static and dynamic magnetic interactions in ferromagnetic and multiferroic heterostructures with time-resolved and interface-specific optical techniques. The focus of the thesis is on elucidating the underlying physics of key physical parameters and novel approaches, crucial to the performance of magnetic recording and spintronic devices. Fir...
متن کاملSynthesis and optical characterization of erbium-doped III-N double heterostructures
We report on the first successful synthesis of Er-doped III-N double heterostructures (DHs) grown on sapphire substrates. AlGaN layers, with an Al concentration of ∼12%, were prepared by metalorganic chemical vapor deposition and Er-doped GaN layers by molecular beam epitaxy. The Er concentration was estimated to be ∼1018 cm−3. GaN:Er/AlGaN single heterostructures (SHs) and AlGaN/GaN:Er/AlGaN D...
متن کاملcontrol of the optical properties of nanoparticles by laser fields
در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...
15 صفحه اولذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of Applied Physics
سال: 2003
ISSN: 0021-8979
DOI: 10.1063/1.1609048