Luminescence of silicon and quartz crystals at mechanical destruction
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
determination of some physical and mechanical properties red bean
چکیده: در این تحقیق، برخی خواص فیزیکی و مکانیکی لوبیا قرمز به-صورت تابعی از محتوی رطوبت بررسی شد. نتایج نشان داد که رطوبت بر خواص فیزیکی لوبیا قرمز شامل طول، عرض، ضخامت، قطر متوسط هندسی، قطر متوسط حسابی، سطح تصویر شده، حجم، چگالی توده، تخلخل، وزن هزار دانه و زاویه ی استقرار استاتیکی در سطح احتمال 1 درصد اثر معنی داری دارد. به طوری که با افزایش رطوبت از 54/7 به 12 درصد بر پایه خشک طول، عرض، ضخام...
15 صفحه اولOptically stimulated luminescence in synthetic quartz
Optically stiniulated luminescence (OSL). has been studied in synthetic quartz crystals. which had previously been exposed to Jtor X-irradiations. The main emission hands appeared at 380 and -~440 nm. The excitation spectra of these emission bands were now measured and showed both a maximum at 330nm. This maximum coincides with an excitation maximum of the phototransferred thermoluminescence (P...
متن کاملLuminescence from amorphous silicon nanostructures.
We present a model of size-dependent luminescence from a-Si:H and show that a blueshift of the luminescence energy and a general increase in luminescence quantum efficiency are predicted as structure size decreases. In contrast to bulk a-Si:H structures, highly confined a-Si:H exhibits visible luminescence peak energies and high radiative quantum efficiency at room temperature, which is insensi...
متن کاملNear-infrared luminescence of RbPb2Cl5:Bi crystals.
A wideband near-IR (NIR) luminescence centered at 1080 nm was found in a RbPb(2)Cl(5):Bi single crystal grown by the Bridgman technique. Absorption, luminescence, and excitation of luminescence spectra were investigated at room and cryogenic temperatures. The luminescence was proposed to be due to the (3)P(1)-->(3)P(0) transition in Bi(+) ion.
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of Physics: Conference Series
سال: 2020
ISSN: 1742-6588,1742-6596
DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012142