Laser Induced Backside Wet Etching: Mechanisms and Fabrication of Micro-Optical Elements

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Surface Micro-Structuring of Silica Glass by Laser-Induced Backside Wet Etching with ns-Pulsed UV Laser at a High Repetition Rate

Surface micro-structuring of silica glass plates was performed by using laser-induced backside wet etching (LIBWE) upon irradiation with a single-mode laser beam from a diode-pumped solidstate UV laser at 266 nm. We have succeeded in a well-defined micro-pattern formation without debris and microcrack formations around the etched area on the basis of galvanometer-based point scanning system wit...

متن کامل

Fabrication and Optical Characterization of Silicon Nanostructure Arrays by Laser Interference Lithography and Metal-Assisted Chemical Etching

In this paper metal-assisted chemical etching has been applied to pattern porous silicon regions and silicon nanohole arrays in submicron period simply by using positive photoresist as a mask layer. In order to define silicon nanostructures, Metal-assisted chemical etching (MaCE) was carried out with silver catalyst. Provided solution (or materiel) in combination with laser interference lithogr...

متن کامل

Fabrication of inverted pyramidal pits with Nano-opening by laser interference lithography and wet etching

Article history: Received 29 March 2016 Received in revised form 7 June 2016 Accepted 20 June 2016 Available online 21 June 2016 In this work we demonstrate a fabrication process for three-dimensional (3D) container, which is composed of inverted pyramidal pit (IPP) and a capwith nanosized opening fabricated by combining laser interference lithography and anisotropic wet etching processes. The ...

متن کامل

control of the optical properties of nanoparticles by laser fields

در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...

15 صفحه اول

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Journal of Physics: Conference Series

سال: 2007

ISSN: 1742-6588,1742-6596

DOI: 10.1088/1742-6596/59/1/113