Interface structure and its properties. Fundamentals of interface structure-(1) grain boundaries.

نویسندگان

چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

the underlying structure of language proficiency and the proficiency level

هدف از انجام این تخقیق بررسی رابطه احتمالی بین سطح مهارت زبان خارجی (foreign language proficiency) و ساختار مهارت زبان خارجی بود. تعداد 314 زبان آموز مونث و مذکر که عمدتا دانشجویان رشته های زبان انگلیسی در سطوح کارشناسی و کارشناسی ارشد بودند در این تحقیق شرکت کردند. از لحاظ سطح مهارت زبان خارجی شرکت کنندگان بسیار با هم متفاوت بودند، (75 نفر سطح پیشرفته، 113 نفر سطح متوسط، 126 سطح مقدماتی). کلا ...

15 صفحه اول

Diffuse interface model for structural transitions of grain boundaries

The conditions for structural transitions at the core of a grain boundary separating two crystals was investigated with a diffuse interface model that incorporates disorder and crystal orientation Kobayashi et al., Physica D 140, 141 2000 . The model predicts that limited structural disorder near the grain boundary core can be favorable below the melting point. This disordered material is a pre...

متن کامل

Interface vibrational modes and interface structure of CdSe/ZnTe superlattices

Interfacial vibrational modes ~IFM’s! of CdSe/ZnTe superlattice are shown for perfect and atomically rearranged interfaces with four probable exchange configurations. In addition to the IFM at 222 cm originating from single interface Zn-Se ‘‘wrong’’ bonds ~WB’s!, another IFM at 235 cm occurs due to atomic rearrangement at the interfaces, which is attributed to double Zn-Se WB’s. Raman scatterin...

متن کامل

Interface structure and composition of MoO3/GaAs(0 0 1).

We studied growth, structure, stress, oxidation state as well as surface and interface structure and composition of thermally-evaporated thin MoO3 films on the technologically important III/V-semiconductor substrate GaAs(0 0 1). The MoO3 films grow with Mo in the 6+  oxidation state. The electrical resistance is tunable by the oxygen partial pressure during deposition from transparent insulatin...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Journal of the Japan Welding Society

سال: 1990

ISSN: 0021-4787,1883-7204

DOI: 10.2207/qjjws1943.59.240