Increase in Extinction Distance with Temperature in Silicon

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

qfd planning with cost consideration in fuzzy environment

در عصر حاضر که رقابت بین سازمان ها بسیار گسترش یافته است، مطالعه و طرحریزی سیستم های تولیدی و خدماتی به منظور بهینه سازی عملکرد آنها اجتناب ناپذیر می باشد. بخش عمده ای از رقابت پذیری سازمان ها نتیجه رضایتمندی مشتریان آنها است. میزان موفقیت سازمان های امروزی به تلاش آنها در جهت شناسایی خواسته ها و نیازهای مشتریان و ارضای این نیازها بستگی دارد. از طرفی کوتاه کردن زمان ارائه محصول/خدمات به مشتریان...

15 صفحه اول

temperature dependence of phase transformation pressure in silicon

in this experimental work the pressure induced phase transformation of silicon and germaniumhas been studied. it was shown that at a particular value of applied pressure, (pt), depending on the sampletemperature, the electrical resistance of the specimen falls off to a metallic state. the main goal of this studywas to find out how the phase transformation pressure, pt, for a p-type silicon vari...

متن کامل

Minimum survivable graphs with bounded distance increase

We study in graphs a property related to fault-tolerance in case a node fails. A graph G is k-self-repairing, where k is a non-negative integer, if after the removal of any vertex no distance in the surviving graph increase by more than k. We give upper and lower bounds on the minimum number of edges of a k-self-repairing graph for prescribed k and n, where n is the order of the graph. We also ...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: physica status solidi (b)

سال: 1965

ISSN: 0370-1972,1521-3951

DOI: 10.1002/pssb.19650110104