Erratum: “Spectroscopic ellipsometry-based study of optical properties of amorphous and crystalline ZnSnO alloys and Zn2SnO4 thin films grown using sputtering deposition: Dielectric function and subgap states” [J. Appl. Phys. 119, 135302 (2016)]
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
architecture and engineering of nanoscale sculptured thin films and determination of their properties
چکیده ندارد.
15 صفحه اولinvestigation of gassing behavior, electric and dielectric properties of different insulating fluids.
ترانسفورماتورهای قدرت از اجزای اصلی شبکه تامین انرژی الکتریکی می باشند که عملکرد قابل اطمینان ترانسفورماتورها یکی از فاکتورهای مهم و تعیین کننده در تامین انرژی الکتریکی محسوب می شود. در نتیجه بررسی و مانیتور عملکرد ترانسفورماتورها در شبکه و همچنین عیب یابی این ترانسفورماتورها غیرقابل اجتناب و ضروری می باشد. به طور کلی عایق های مایع در صنعت فشار قوی کاربردهای متفاوتی دارند که مهمترین وظیفه آنها...
15 صفحه اولextraction and acetylation of purified trypsin from bovin pancreas and study of some its physico-chemical properties
آنزیم تریپسین در شرایط قلیایی ناپایدار می باشد .و فعالیت پروتئولیتیکی تریپسین منجربه خود هضمی آن در جایگاههای خاصی می گردد. بنابر این آنزیمی با ناپایداری بالا محسوب میگردد. در سالهای اخیر موفق شدند که با ایجاد تغیرات شیمیایی با اضافه کردن فلزات خاص ، کلسیم و یا عمل استیلاسیون منجر به افزایش پایداری آنزیم تریپسین گردند. مطالعات در حال حاضر نشان می دهد که تریپسین استیله شده فعالیت آنزیمی خود را ...
15 صفحه اولOptical Monitoring of Thin-films Using Spectroscopic Ellipsometry
Spectroscopic Ellipsometry (SE) offers a precise technique for measuring thin film properties. Advanced SE instrumentation has been demonstrated as an excellent technique for monitoring the growth of optical films for sputtering applications. We have recently extended this technique for PVD E-gun evaporated films. In this paper we will show how an SE system was integrated into a standard optica...
متن کاملThin films with high surface roughness: thickness and dielectric function analysis using spectroscopic ellipsometry
An optical surface roughness model is presented, which allows a reliable determination of the dielectric function of thin films with high surface roughnesses of more than 10 nm peak to valley distance by means of spectroscopic ellipsometry. Starting from histogram evaluation of atomic force microscopy (AFM) topography measurements a specific roughness layer (RL) model was developed for an organ...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of Applied Physics
سال: 2018
ISSN: 0021-8979,1089-7550
DOI: 10.1063/1.5022103