Defect-Mediated Lattice Relaxation and Domain Stability in Ferroelectric Oxides

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Experimental and first-principles study of point defects, domain walls, and point-defect/domain-wall interactions in ferroelectric oxides

Ferroelectric oxides, such as lead zirconate titanate, have proved invaluable due to their excellent dielectric and piezoelectric properties. These classes of materials possess a large electric polarization below the Curie temperature. Regions of the crystal lattice having different directions of polarization are separated by nano-scale interfaces known as domainwalls. These interfaces, which c...

متن کامل

COMPUTATIONAL ENUMERATION OF POINT DEFECT CLUSTERS IN DOUBLE- LATTICE CRYSTALS

The cluster representation matrices have already been successfully used to enumerate close-packed vacancy clusters in all single-lattice crystals [I, 2]. Point defect clusters in double-lattice crystals may have identical geometry but are distinct due to unique atomic postions enclosing them. The method of representation matrices is extended to make it applicable to represent and enumerate ...

متن کامل

assessing political stability and instability in central asia and caucasus; case study, azerbaijan and kyrgyzstan

منطقه ی آسیای مرکزی وقفقاز به عنوان منطقه ای تاریخی و به دلیل دارا بودن ذخایر عظیم هیدرو کربنی از اهمیت ویژه ای برخوردار است. کشورهای این منطقه از عوامل عمده ی بی ثباتی نظیر عوامل جغرافیایی، اقتصادی، امنیتی، اجتماعی و سیاسی رنج می برند. پس از فروپاشی اتحاد جماهیر شوروی کشورهای منطقه از نعمت استقلال ناخواسته ای برخوردار شدند که مشکلات فوق را برای آن ها چندین برابر می کرد. در این روند برخی از این...

15 صفحه اول

Physics of thin-film ferroelectric oxides

This review covers important advances in recent years in the physics of thin-film ferroelectric oxides, the strongest emphasis being on those aspects particular to ferroelectrics in thin-film form. The authors introduce the current state of development in the application of ferroelectric thin films for electronic devices and discuss the physics relevant for the performance and failure of these ...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Physical Review Letters

سال: 2012

ISSN: 0031-9007,1079-7114

DOI: 10.1103/physrevlett.109.117601